[实用新型]一种超厚低阻单面镀膜单面消影ITO导电膜有效
| 申请号： | 201920094803.6 | 申请日： | 2019-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN209297771U | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 徐风海 | 申请（专利权）人： | 台玻（青岛）光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;G06F3/041 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266000 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种超厚低阻单面镀膜单面消影ITO导电膜，属于光电玻璃技术领域，包括TG基板、镀于TG基板上表面的五氧化二铌膜、镀于五氧化二铌膜上表面的二氧化硅膜和镀于二氧化硅膜上表面的ITO导电层，其中，ITO导电层的厚度为120~150纳米，五氧化二铌膜厚度为5~7纳米，二氧化硅膜的厚度为45~55纳米，本实用新型实施例的ITO导电膜为单面镀膜单面消影结构，其中，上述厚度范围的五氧化二铌膜和二氧化硅膜间隔组成的消影层可以实现对厚度超厚的ITO导电膜进行消影，其中，上述厚度的五氧化二铌膜和二氧化硅膜组成的消影层的折射率与玻璃表面接近，该消影层与ITO导电膜相互配合保证了ITO导电膜刻蚀前后的反射差小于0.5%，进而可以低阻值超厚ITO导电膜的完全消影。 | ||
| 搜索关键词： | 二氧化硅膜 五氧化二铌 消影 单面镀膜 消影层 超厚 本实用新型 上表面 低阻 基板上表面 玻璃表面 光电玻璃 超厚的 折射率 基板 刻蚀 反射 配合 保证 | ||
【主权项】：
1.一种超厚低阻单面镀膜单面消影ITO导电膜，其特征在于，所述ITO导电膜包括TG基板、镀于所述TG基板上表面的五氧化二铌膜、镀于所述五氧化二铌膜上表面的二氧化硅膜和镀于所述二氧化硅膜上表面的ITO导电层，其中，所述ITO导电层的厚度为120~150纳米，所述五氧化二铌膜厚度为5~7纳米，所述二氧化硅膜的厚度为45~55纳米，所述ITO导电膜为单面镀膜单面消影结构。
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