[实用新型]批次基板湿式处理装置有效
申请号: | 201920111710.X | 申请日: | 2019-01-23 |
公开(公告)号: | CN209434152U | 公开(公告)日: | 2019-09-24 |
发明(设计)人: | 黄立佐;吴进原;张修凯 | 申请(专利权)人: | 弘塑科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687;H01L21/306 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 翟羽 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种批次基板湿式处理装置,包括一槽体、一基板升降机构、一基板旋转机构以及一主控模块。所述槽体用于容纳晶舟以及位于所述晶舟中的基板。所述基板升降机构设置在所述槽体上,升降所述晶舟及所述晶舟中的基板。所述基板旋转机构设置在所述基板升降机构上,且用于接触并带动所述基板进行旋转。所述主控模块连接所述基板升降机构以及所述基板旋转机构,且控制所述基板升降机构的升降以及所述基板旋转机构的旋转。透过控制基板相对所述槽体中蚀刻液的高度位置及旋转速度,可使所述基板被均匀蚀刻。 | ||
搜索关键词: | 基板升降机构 基板 基板旋转机构 槽体 晶舟 湿式处理装置 主控模块 升降 蚀刻 高度位置 控制基板 蚀刻液 容纳 | ||
【主权项】:
1.一种批次基板湿式处理装置,其特征在于,所述批次基板湿式处理装置包括:一槽体,在所述槽体内形成有一容槽,所述容槽用于盛载蚀刻液,且用于容纳晶舟以及位于所述晶舟中的基板;一基板升降机构,设置在所述槽体上,且包括一固定座、一升降驱动模块以及一升降座,所述固定座固定设置在所述槽体外,所述升降驱动模块以可作动方式设置在所述固定座上,所述升降座固定设置在所述升降驱动模块上,位于所述容槽内,且可受到所述升降驱动模块的驱动而相对所述槽体上升到容槽外或是相对所述槽体下降到所述容槽内,所述升降座用于承托所述晶舟及所述晶舟中的基板;一基板旋转机构,设置在所述基板升降机构的所述升降座上,且包括一旋转驱动模块、一传动组件以及一从动旋转组件,所述旋转驱动模块固定设置在所述升降座上,所述传动组件连接所述旋转驱动模块并可受到所述旋转驱动模块的驱动而作动,所述从动旋转组件设置在所述升降座上,连接到所述传动组件,且可受到所述传动组件的驱动而旋转,所述从动旋转组件用于接触并带动所述基板进行旋转;以及一主控模块,连接所述基板升降机构以及所述基板旋转机构,且控制所述基板升降机构的升降以及所述基板旋转机构的旋转。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造