[实用新型]一种新型熔接式聚乙烯电缆接头有效

专利信息
申请号: 201920127322.0 申请日: 2019-01-24
公开(公告)号: CN209487167U 公开(公告)日: 2019-10-11
发明(设计)人: 司利海;陈德菊;郑东炜;胡刚;张强;张执欣 申请(专利权)人: 陕西惠齐电力科技开发有限公司;中国铁路设计集团有限公司
主分类号: H01B7/00 分类号: H01B7/00;H01B7/17;H01B9/02;H01B7/02;H01R4/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 710400 陕西省西安市*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型为了解决电缆在对接过程中导电率有损耗且不稳定的情况,提供了一种新型熔接式聚乙烯电缆接头,包括:电缆组、填充层和外护套,其特征在于:所述电缆组与绕包层之间设有填充层,绕包层的外侧为内护套层,内护套层的外侧为钢铠层,钢铠层的外侧为外护套。
搜索关键词: 聚乙烯电缆 内护套层 电缆组 钢铠层 绕包层 填充层 外护套 熔接 本实用新型 对接过程 导电率 电缆
【主权项】:
1.一种新型熔接式聚乙烯电缆接头,包括:电缆组(11)、填充层(6)和外护套(10),其特征在于:所述电缆组(11)与绕包层(7)之间设有填充层,绕包层(7)的外侧为内护套层(8),内护套层(8)的外侧为钢铠层(9),钢铠层(9)的外侧为外护套(10);所述电缆组(11)由两段电缆本体和其对接部分的电缆熔接部分组成,电缆本体径向由内向外依次为:电缆导体(1)、第一半导体屏蔽(2)、绝缘层(3)、第二半导体屏蔽(4)、软铜带(5),所述软铜带(5)外侧设有绝缘层,电缆熔接部分包括:熔接导体(15)、熔接半导体屏蔽(16)、熔接绝缘层(17)、半导体熔接层(18)、软铜带熔接层(19)、绝缘层(20)和斜坡(12),斜坡(12)通过切割或者打磨电缆本体形成,斜坡(12)的顶端为电缆本体,斜坡(12)的底部为外露半导体屏蔽(13),外露半导体屏蔽(13)的末端为外露电缆导体(14),两个相向的外露电缆导体(14)通过热熔形成熔接导体(15),熔接导体(15)外表面表面打磨光滑,熔接导体(15)与外露电缆导体(14)的直径相同,熔接半导体屏蔽(16)与两端的外露半导体屏蔽(13)通过熔融相同的半导体材料相衔接,熔接绝缘层(17)位于熔接半导体屏蔽(16)的外侧,熔接绝缘层(17)通过相同的绝缘层材料在相同厚度下与斜坡(12)的绝缘层(3)进行熔接,半导体熔接层(18)通过熔接相同半导体材料与斜坡进行等高度熔接,半导体熔接层(18)的外侧为软铜带熔接层(19),软铜带熔接层(19)通过热熔铜带与斜坡(12)的软铜带(5)进行等高度熔接,软铜带熔接层(19)的外侧为绝缘层(20),绝缘层(20)通过绝缘材料进行环绕包裹软铜带熔接层(19)形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陕西惠齐电力科技开发有限公司;中国铁路设计集团有限公司,未经陕西惠齐电力科技开发有限公司;中国铁路设计集团有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201920127322.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top