[实用新型]一种NPN型高压大电流超高功率晶体管有效
| 申请号： | 201920128650.2 | 申请日： | 2019-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN209216980U | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 龚利汀;易琼红;左勇强 | 申请（专利权）人： | 无锡固电半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/732 | 分类号： | H01L29/732;H01L29/08;H01L29/10 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型属于半导体晶体管技术领域，涉及一种NPN型高压大电流超高功率晶体管，包括有源区和环绕在所述有源区外围的终端保护区，所述有源区包括若干个相互并联的晶体管单元，所述晶体管单元包括N‑外延层、位于N‑外延层内的P‑基区及位于所述P‑基区两侧的P+基区，在所述P+基区间设有N+发射区及环绕在所述N+发射区四周的N+环，所述N+发射区和N+环的结深相同，且均小于P‑基区的结深；本实用新型N+发射区下方形成低浓度的窄基区结构，能够提高二次击穿容量，同时器件版图设计为两个发射极电极、两个基极电极的结构，且上下两侧的图形完全对称，使得当电流很大时，电流发散为两组通道，减小了热点集中的问题，提高了器件的可靠性和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 发射区 基区 源区 本实用新型 高压大电流 晶体管单元 超高功率 外延层 晶体管 结深 环绕 半导体晶体管 发射极电极 终端保护区 二次击穿 基极电极 器件版图 上下两侧 并联 发散 减小 两组 窄基 对称 外围 | ||
【主权项】：
1.一种NPN型高压大电流超高功率晶体管，包括有源区（001）和环绕在所述有源区（001）外围的终端保护区（002），所述有源区（001）包括若干个相互并联的晶体管单元，其特征在于，所述晶体管单元包括N‑外延层（3）、位于N‑外延层（3）内的P‑基区（4）及位于所述P‑基区（4）两侧的P+基区（5），在所述P+基区（5）间设有N+发射区（6）及环绕在所述N+发射区（6）四周的N+环（7），所述N+发射区（6）和N+环（7）的结深相同，且均小于P‑基区（4）的结深。
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