[实用新型]散热集成的电路芯片有效

专利信息
申请号: 201920143128.1 申请日: 2019-01-28
公开(公告)号: CN209232770U 公开(公告)日: 2019-08-09
发明(设计)人: 宋晨光;孙海燕;方家恩 申请(专利权)人: 南通大学;成都芯锐科技有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/498;H01L21/48;H01L21/60
代理公司: 江苏隆亿德律师事务所 32324 代理人: 岑志剑;倪金磊
地址: 226019 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型提供散热集成的电路芯片,包括SOI片,SOI片自上而下包括顶层硅、绝缘层及底层硅,SOI片纵向设置多个垂直通孔,垂直通孔贯穿绝缘层及底层硅,各垂直通孔内均设置导电导热柱,导电导热柱底端裸露于底层硅下表面,垂直通孔内侧壁设置电学隔离层,至少部分数量的导电导热柱端部抵于顶层硅底部,电路芯片还包括制成于顶层硅的集成电路,至少部分导电导热柱端部与集成电路电学连接。本实用新型具有优异的散热性能,可与各种集成电路整合。另一方面,本实用新型还提供了上述芯片的制作方法。
搜索关键词: 垂直通孔 导热柱 导电 本实用新型 电路芯片 底层硅 顶层硅 绝缘层 散热 集成电路 集成电路整合 电学隔离层 电学连接 散热性能 纵向设置 内侧壁 下表面 底端 裸露 芯片 贯穿 制作
【主权项】:
1.散热集成的电路芯片,其特征在于,包括SOI片,所述SOI片自上而下包括顶层硅(4)、绝缘层(5)及底层硅(6),所述SOI片纵向设置多个垂直通孔(9),所述垂直通孔(9)贯穿所述绝缘层(5)及底层硅(6),各所述垂直通孔(9)内均设置导电导热柱(2),所述导电导热柱(2)底端裸露于所述底层硅(6)下表面,所述垂直通孔(9)内侧壁设置电学隔离层(3),至少部分数量的所述导电导热柱(2)端部抵于所述顶层硅(4)底部,所述电路芯片还包括制成于所述顶层硅(4)的集成电路(1),至少部分所述导电导热柱(2)端部与所述集成电路(1)电学连接。
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