[实用新型]IGBT半桥模块有效
| 申请号： | 201920161495.4 | 申请日： | 2019-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN209374447U | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 钱进;轩永辉 | 申请（专利权）人： | 宁波达新半导体有限公司;杭州达新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/498;H01L23/492 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 315400 浙江省宁波市余姚市经济开*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种IGBT半桥模块，包括：底板、芯片单元、陶瓷覆铜板、功率端子、信号端子和信号端子座；芯片单元包括IGBT芯片和FRD芯片；信号端子包括栅极信号端子和发射极信号端子，信号端子都直接焊接在陶瓷覆铜板上，IGBT芯片的栅极通过铝线键合在陶瓷覆铜板上并引出到对应的栅极信号端子上，IGBT芯片的发射极通过铝线键合在陶瓷覆铜板上并引出到对应的发射极信号端子上；陶瓷覆铜板直接焊接在所述底板上；信号端子支撑在对应的信号端子座上。本实用新型能实现在制造或使用过程中提高产品的生产效率和产品质量。 | ||
| 搜索关键词： | 信号端子 陶瓷覆铜板 底板 栅极信号端子 本实用新型 发射极信号 铝线键合 芯片单元 直接焊接 功率端子 生产效率 发射极 支撑 制造 | ||
【主权项】：
1.一种IGBT半桥模块，其特征在于，包括：底板、芯片单元、陶瓷覆铜板、功率端子、信号端子和信号端子座；一个所述芯片单元包括一个IGBT芯片和一个FRD芯片；所述信号端子包括栅极信号端子和发射极信号端子，所述信号端子都直接焊接在所述陶瓷覆铜板上，所述IGBT芯片的栅极通过铝线键合在所述陶瓷覆铜板上并引出到对应的所述栅极信号端子上，所述IGBT芯片的发射极通过铝线键合在所述陶瓷覆铜板上并引出到对应的所述发射极信号端子上；所述陶瓷覆铜板直接焊接在所述底板上；所述信号端子支撑在对应的所述信号端子座上。
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