[实用新型]一种IGBT变电阻开通电路

摘要

本实用新型公开了一种IGBT变电阻开通电路，包括N沟道场效应管Q1，所述N沟道场效应管Q1的栅极接电阻R7和电阻R8的并联接口，电阻R7的另一端接电容C2、电容C3以及增强型隔离栅极驱动器U1引脚1和8的并联接口，电阻R8的另一端接二极管D2负极和IGBT‑BUS的并联接口，二极管D2正极接二极管D1的负极、电容C4和增强型隔离栅极驱动器U1引脚2的并联接口。本IGBT变电阻开通电路，用电阻分压来实现变电阻开通，电路结构简单，不会影响驱动主电路设计，母线电压只要有变化，电阻分配的电压就会有变化，使电路反应更加灵敏，通过电阻分压方法实现IGBT变电阻开通，对于不同电压，不同功率的IGBT，通过调节分压电阻阻值就可以实现，适用于绝大多数IGBT。

主权项

1.一种IGBT变电阻开通电路，包括N沟道场效应管Q1，其特征在于：所述N沟道场效应管Q1的栅极接电阻R7和电阻R8的并联接口，电阻R7的另一端接电容C2、电容C3以及增强型隔离栅极驱动器U1引脚1和8的并联接口，电阻R8的另一端接二极管D2负极和IGBT‑BUS的并联接口，二极管D2正极接二极管D1的负极、电容C4和增强型隔离栅极驱动器U1引脚2的并联接口，N沟道场效应管Q1的源极串联电阻R9接在电阻R10和增强型隔离栅极驱动器U1引脚4的并联接口，电阻R10的另一端和串联电阻R11的增强型隔离栅极驱动器U1引脚6与IGBT‑OUT相接，二极管D1的正极和电容C4的另一端接在增强型隔离栅极驱动器U1的引脚4上，增强型隔离栅极驱动器U1的引脚15与接5V电压的电容C1与增强型隔离栅极驱动器U1并联的引脚16和9接地，增强型隔离栅极驱动器U1的引脚10接在PWMH端和接地电阻R4的并联接口上，增强型隔离栅极驱动器U1的引脚11接在PWML端和接地电阻R5的并联接口上，增强型隔离栅极驱动器U1的引脚12接在RDL端和接5V电压的电阻R1并联接口上，增强型隔离栅极驱动器U1的引脚13接在FLT端和接5V电压的电阻R2并联接口上，增强型隔离栅极驱动器U1的引脚13接在RST端和接5V电压的电阻R3并联接口上。