[实用新型]光栅耦合器及光学相控阵装置有效
申请号: | 201920173813.9 | 申请日: | 2019-01-30 |
公开(公告)号: | CN209590342U | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | 侯昌韬;马丁昽 | 申请(专利权)人: | 深圳市速腾聚创科技有限公司 |
主分类号: | G02B6/42 | 分类号: | G02B6/42;G02B6/124;G02B6/13 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 李文渊 |
地址: | 518051 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种光栅耦合器及光学相控阵装置。该光栅耦合器包括硅基底;硅氧化物层,形成于所述硅基底上;及光栅层,形成于所述硅氧化物层上;其中,所述光栅层包括同层设置的光波导、耦合光栅及反射光栅,所述光波导、反射光栅分别设置于所述光栅层的两端,所述耦合光栅设置于所述光波导和所述反射光栅之间;所述耦合光栅区用于接收所述激光并将所述激光引导至所述光波导,所述反射光栅用于将未被所述耦合光栅引导至所述光波导的激光反射回所述耦合光栅。本申请的光栅耦合器可与CMOS工艺兼容,同时还拥有相对较高的稳定性和相对较小的体积。 | ||
搜索关键词: | 耦合光栅 光波导 光栅耦合器 反射光栅 光栅层 光学相控阵 硅氧化物层 硅基 本实用新型 激光反射 激光引导 同层设置 兼容 激光 申请 | ||
【主权项】:
1.一种光栅耦合器,用于对激光进行耦合,其特征在于,所述光栅耦合器包括:硅基底;硅氧化物层,形成于所述硅基底上;及光栅层,形成于所述硅氧化物层上;其中,所述光栅层包括同层设置的光波导、耦合光栅及反射光栅,所述光波导、反射光栅分别设置于所述光栅层的两端,所述耦合光栅设置于所述光波导和所述反射光栅之间;所述耦合光栅用于接收所述激光并将所述激光引导至所述光波导,所述反射光栅用于将未被所述耦合光栅引导至所述光波导的激光反射回所述耦合光栅。
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