[实用新型]一种容量为512k×32bit的非气密三维封装SRAM存储器

摘要

本实用新型公开了一种容量为512k×32bit的非气密三维封装SRAM存储器，四片SRAM芯片依次堆叠设置于引线框架上，上端三层SRAM芯片下表层设有接SRAM芯片引脚的铜箔电引层，四片SRAM芯片四周外侧设有灌封胶层和外部金属镀化层引线，上端三层SRAM芯片上的铜箔电引层与外部金属镀化层引线连通，最下端的SRAM芯片的引脚直接与外部金属镀化层引线连通，引线框架上设有外引线，外引线连通至外部金属镀化层引线，结构上采用三维堆叠结构，将芯片与互连铜箔在高度方向交替堆叠，形成堆叠体，可避免在平面上进行并置所有SRAM单片器件，在与单层芯片所占面积接近的情况下实现了容量的扩充，显著减少存储器器件占用PCB板的平面空间，利于系统的小型化。

主权项

1.一种容量为512k×32bit的非气密三维封装SRAM存储器，其特征在于，包括引线框架(3)和四片256k×16bit的SRAM芯片(1)，四片SRAM芯片(1)依次堆叠设置于引线框架(3)上，上端三层SRAM芯片下表层设有接SRAM芯片引脚的铜箔电引层(2)，相邻两个SRAM芯片之间通过固态胶膜(4)粘接，四片SRAM芯片(1)四周外侧设有灌封胶层(5)，灌封胶层(5)外侧设有外部金属镀化层引线(6)，上端三层SRAM芯片(1)上的铜箔电引层(2)与外部金属镀化层引线(6)连通，最下端的SRAM芯片的引脚直接与外部金属镀化层引线(6)连通，引线框架(3)上设有外引线(7)，外引线(7)连通至外部金属镀化层引线(6)。