[实用新型]半导体芯片

摘要

本实用新型公开了一半导体芯片，其包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一透明导电层、一绝缘层以及一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极的一列N型电极连接针在穿过所述绝缘层后被电连接于所述N型半导体层，所述P型电极的一列P型电极连接针在穿过所述绝缘层后被电连接于所述透明导电层，并且一列所述P型电极连接针与所述透明导电层的一列导通位置之间的连线为曲线，通过这样的方式，当电流自所述N型电极和所述P型电极被注入时能够被均匀地扩展。

主权项

1.一半导体芯片，其特征在于，包括一衬底、层叠于所述衬底的一N型半导体层、层叠于所述N型半导体层的一有源区、层叠于所述有源区的一P型半导体层、层叠于所述P型半导体层的一透明导电层、层叠于所述透明导电层的一绝缘层以及分别层叠于所述绝缘层的一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极进一步包括一N型电极焊盘、至少一N型电极扩展条以及至少一列N型电极连接针，所述N型电极焊盘在穿过所述绝缘层后被电连接于所述N型半导体层，所述N型电极扩展条自所述N型电极焊盘向所述半导体芯片的第一端部方向延伸，一列所述N型电极连接针分别延伸于所述N型电极扩展条和在穿过所述绝缘层后分别被电连接于所述N型半导体层；其中所述P型电极进一步包括一P型电极焊盘、至少一P型电极扩展条以及至少一列P型电极连接针，所述P型电极焊盘在穿过所述绝缘层后被电连接于所述P型半导体层，所述P型电极扩展条自所述P型电极焊盘向所述半导体芯片的第二端部方向延伸，一列所述P型电极连接针分别延伸于所述P型电极扩展条和在穿过所述绝缘层后分别被电连接于所述透明导电层，其中所述P型电极的一列所述P型电极连接针与所述透明导电层的一列导通位置之间的连线为曲线。