[实用新型]一种MOSFET驱动及保护电路有效
| 申请号： | 201920213640.9 | 申请日： | 2019-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN209692603U | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 王刚志;孙锋源 | 申请（专利权）人： | 杭州之山智控技术有限公司 |
| 主分类号： | H02M1/08 | 分类号： | H02M1/08;H02M1/32;H02H7/12 |
| 代理公司： | 33233 浙江永鼎律师事务所 | 代理人： | 陆永强;张建<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 311100 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种MOSFET驱动及保护电路，包括具有栅极、源极和漏极的MOS管，漏极连接于电源端，源极连接于地端，栅极通过驱动电路连接于驱动信号端，驱动电路包括连接在驱动信号端和栅极之间的驱动电阻，驱动电阻与驱动信号端之间具有保护电路，保护电路包括相互并联的钳位二极管和泄放电阻，且钳位二极管的两端分别连接在驱动电阻远离栅极的一端和接地端，泄放电阻的两端也分别连接在驱动电阻远离栅极的一端和接地端。本实用新型在驱动电路处提供具有钳位二极管和泄放电阻的保护电路，能够钳位栅极电压，限制栅极电压在稳压值以内；泄放电阻可以泄放栅极储存的电荷，不让电荷积累导致栅极击穿，在MOS管关断时也能有利于电荷泄放加速关断。 | ||
| 搜索关键词： | 驱动电阻 泄放电阻 钳位二极管 驱动电路 驱动信号 电路 本实用新型 栅极电压 接地端 关断 漏极 电荷积累 电荷泄放 源极连接 电荷 电源端 并联 地端 击穿 钳位 稳压 泄放 源极 储存 | ||
【主权项】：
1.一种MOSFET驱动及保护电路，包括具有栅极、源极和漏极的MOS管，所述漏极连接于电源端，所述源极连接于地端，所述栅极通过驱动电路连接于驱动信号端，其特征在于，所述驱动电路包括连接在驱动信号端和栅极之间的驱动电阻，所述驱动电阻与驱动信号端之间具有保护电路，所述保护电路包括相互并联的钳位二极管和泄放电阻，且所述钳位二极管的两端分别连接在驱动电阻远离栅极的一端和接地端，所述泄放电阻的两端也分别连接在驱动电阻远离栅极的一端和接地端。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州之山智控技术有限公司，未经杭州之山智控技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201920213640.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：变频器一体机
- 下一篇：驱动控制电路和空调器
- 同类专利
- 专利分类
H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
