[实用新型]MOSFET 终端结构有效
| 申请号： | 201920234661.9 | 申请日： | 2019-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN209461470U | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 罗志云;王飞;潘梦瑜 | 申请（专利权）人： | 恒泰柯半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙) 31297 | 代理人： | 赵霞 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国（*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种MOSFET终端结构，MOSFET终端结构包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的外延层；第一源极多晶硅层；第一介质层；第二源极多晶硅层；第二介质层，第二介质层的厚度小于第一介质层的厚度；栅极多晶硅层；栅氧化层；绝缘隔离层；第二导电类型的第一体区；第一导电类型的源区。本实用新型的MOSFET终端结构可以使得终端区的击穿电压高于有源区的击穿电压，从而有效保护MOSFET终端结构，提高MOSFET终端结构的性能；本实用新型的MOSFET终端结构中有源区内第二沟槽的侧壁及底部的第二介质层的厚度可以比较薄，可以提高有源区的漂移层的浓度，从而优化MOSFET终端结构的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 终端结构 介质层 第一导电类型 本实用新型 源区 源极多晶硅层 击穿电压 栅极多晶硅层 绝缘隔离层 导电类型 导通电阻 栅氧化层 漂移层 外延层 终端区 侧壁 衬底 体区 优化 | ||
【主权项】：
1.一种MOSFET终端结构，其特征在于，包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的外延层，位于所述第一导电类型的衬底的上表面；所述第一导电类型的外延层及所述第一导电类型的衬底包括沿横向分布的有源区及终端区；第一源极多晶硅层，位于所述第一导电类型的外延层内，且位于所述终端区内；第一介质层，位于所述第一源极多晶硅层与所述第一导电类型的外延层之间；第二源极多晶硅层，位于所述第一导电类型的外延层内，且位于所述有源区内；第二介质层，位于所述第二源极多晶硅层与所述第一导电类型的外延层之间，所述第二介质层的厚度小于所述第一介质层的厚度；栅极多晶硅层，位于所述第一导电类型的外延层内，且位于所述第二源极多晶硅层的上方；栅氧化层，位于所述第二源极多晶硅层与所述第一导电类型的外延层之间；绝缘隔离层，位于所述第一导电类型的外延层内，且位于所述栅极多晶硅层与所述第二源极多晶硅层之间；第二导电类型的第一体区，位于所述栅氧化层的外围；第一导电类型的源区，位于所述栅氧化层的外围，且位于所述第二导电类型的第一体区上方。
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