[实用新型]48V半导体制冷片有效
申请号: | 201920237721.2 | 申请日: | 2019-02-25 |
公开(公告)号: | CN209282236U | 公开(公告)日: | 2019-08-20 |
发明(设计)人: | 刘军涛;李痛快;陈言武 | 申请(专利权)人: | 畅诺冷热控制技术(上海)有限公司;湖北东帝纺织科技有限公司 |
主分类号: | H01L35/32 | 分类号: | H01L35/32;H01L35/08;H01L35/10 |
代理公司: | 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司 11471 | 代理人: | 陈晓辉 |
地址: | 200120 上海市浦东新区中国*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种48V半导体制冷片,涉及电子元器件领域,解决了缺乏高电压等级的半导体制冷片,使得半导体制冷片应用受到限制的问题;该装置包括上层绝缘导热板和下层绝缘导热板;P‑N电偶对,其引出有正负极导线,且P‑N电偶对固定设置于上层绝缘导热板和下层绝缘导热板之间,P‑N电偶对包括P型半导体元件和N型半导体元件,每个P‑N电偶对的P型半导体元件和N型半导体元件的上端以及相邻电偶对之间通过导体电极串联;P‑N电偶对的数量为575‑590对;本实用新型575‑590对P‑N电偶对串联可形成48V半导体制冷片,填补了高电压半导体制冷片的市场空白,无需多组半导体制冷片串联占用过多空间,有助于在不增大影响整车设计和成本的情况下,达到制冷的目的。 | ||
搜索关键词: | 半导体制冷片 电偶 绝缘导热板 串联 本实用新型 高电压 下层 上层 电子元器件 正负极导线 导体电极 固定设置 市场空白 影响整车 上端 制冷 占用 填补 应用 | ||
【主权项】:
1.一种48V半导体制冷片,其特征在于,包括:上层绝缘导热板和下层绝缘导热板;P‑N电偶对,其引出有正负极导线,且所述P‑N电偶对固定设置于所述上层绝缘导热板和所述下层绝缘导热板之间,所述P‑N电偶对包括P型半导体元件和N型半导体元件,每个所述P‑N电偶对的P型半导体元件和N型半导体元件的上端通过导体电极连接,且每个所述P‑N电偶对的P型半导体元件和N型半导体元件的下端均通过导体电极与相邻所述P‑N电偶对的相应半导体元件连接;所述P‑N电偶对的数量为575‑590对。
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