[实用新型]一种MICRO LED结构有效

专利信息
申请号: 201920241717.3 申请日: 2019-02-26
公开(公告)号: CN209691780U 公开(公告)日: 2019-11-26
发明(设计)人: 郝茂盛;张楠;袁根如 申请(专利权)人: 上海芯元基半导体科技有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L33/44;H01L33/46;H01L33/38
代理公司: 31219 上海光华专利事务所(普通合伙) 代理人: 余明伟<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 201209 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型提供一种MICRO LED结构,包括:键合基板;金属键合层,位于键合基板的表面;紫光LED芯片,经由金属键合层键合于键合基板上;紫光LED芯片包括:反射镜层,位于金属键合层远离键合基板的表面;电隔离层,位于反射镜层远离金属键合层的表面;欧姆接触层,位于反射镜层远离金属键合层的表面;半导体发光材料层,至少位于发光区域内的欧姆接触层远离反射镜层的表面;半导体发光材料层受外部激发发射紫光;电极,位于发光区域内的半导体发光材料层远离欧姆接触层的表面;量子点,位于半导体发光材料层形成有电极的表面。本实用新型可以实现电极等金属层之间的电隔离及各芯片之间的光隔离。
搜索关键词: 金属键合层 半导体发光材料 反射镜层 键合基 欧姆接触层 电极 本实用新型 发光区域 紫光LED 芯片 电隔离层 发射紫光 电隔离 光隔离 金属层 量子点 键合 激发 外部
【主权项】:
1.一种MICRO LED结构,其特征在于,包括:/n键合基板;/n金属键合层,位于所述键合基板的表面;及/n紫光LED芯片,经由所述金属键合层键合于所述键合基板上;所述紫光LED芯片包括:/n反射镜层,位于所述金属键合层远离所述键合基板的表面;/n电隔离层,位于所述反射镜层远离所述金属键合层的表面,所述电隔离层为环形隔离层,以将所述紫光LED芯片分割为发光区域及孤岛区域;其中,所述发光区域位于所述电隔离层的内侧,所述孤岛区域位于所述电隔离层外围;/n欧姆接触层,位于所述反射镜层远离所述金属键合层的表面,且位于所述发光区域内;/n半导体发光材料层,至少位于所述发光区域内的所述欧姆接触层远离所述反射镜层的表面,且位于所述发光区域内的所述半导体发光材料层的厚度不大于所述电隔离层的高度;所述半导体发光材料层受外部激发发射紫光;/n电极,位于所述发光区域内的所述半导体发光材料层远离所述欧姆接触层的表面;/n量子点,位于所述半导体发光材料层形成有所述电极的表面。/n
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