[实用新型]一种低功耗的二极管芯片结构有效
| 申请号： | 201920255195.2 | 申请日： | 2019-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN209471970U | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 王民安;马霖;王日新;郑春鸣;全美淑;谢富强;王志亮;董蕊;岳春艳;戴永霞;倪小兰;汪杏娟;胡丽娟;黄永辉;项建辉;陈明;曹红军 | 申请（专利权）人： | 安徽省祁门县黄山电器有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 芜湖众汇知识产权代理事务所(普通合伙) 34128 | 代理人： | 谈志成 |
| 地址： | 245600 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种低功耗的二极管芯片结构，包括长基区N，设置在长基区N下方的阳极区P，所述长基区N的外侧设置有一圈P型隔离层，所述P型隔离层的下方与阳极区P相连。所述P型隔离层的外侧还设置有P+缓冲阻挡层。本实用新型通过P型隔离层和P+缓冲阻挡层能够有效降低器件工作时的功耗，提高产品合格率，可广泛应用于二极管芯片领域。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管芯片 长基区 本实用新型 低功耗 阳极区 阻挡层 缓冲 产品合格率 降低器件 外侧设置 功耗 应用 | ||
【主权项】：
1.一种低功耗的二极管芯片结构，包括长基区N，设置在长基区N下方的阳极区P，其特征在于：所述长基区N的外侧设置有一圈P型隔离层，所述P型隔离层的下方与阳极区P相连。
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