[实用新型]GaN基高电子迁移率晶体管外延片有效
| 申请号： | 201920258319.2 | 申请日： | 2019-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN209561413U | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 丁涛;周飚;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/26 | 分类号： | H01L29/26;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种GaN基高电子迁移率晶体管外延片，属于高电子迁移率晶体管领域。所述高电子迁移率晶体管外延片包括：衬底、在所述衬底上顺次沉积的石墨烯层、金属纳米粒子层、三维形核层、缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、以及GaN帽层，所述金属纳米粒子层包括若干位于所述石墨烯层上的金属纳米粒子、且各个所述金属纳米粒子均与所述石墨烯层接触，所述金属纳米粒子的直径为1～20nm，相邻所述金属纳米粒子之间存在间隙。 | ||
| 搜索关键词： | 高电子迁移率晶体管 金属纳米粒子 石墨烯层 外延片 金属纳米粒子层 衬底 本实用新型 缓冲层 形核层 帽层 沉积 三维 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基高电子迁移率晶体管外延片，其特征在于，所述高电子迁移率晶体管外延片包括：衬底、在所述衬底上顺次沉积的石墨烯层、金属纳米粒子层、三维形核层、缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、以及GaN帽层，所述金属纳米粒子层包括若干位于所述石墨烯层上的金属纳米粒子、且各个所述金属纳米粒子均与所述石墨烯层接触，所述金属纳米粒子的直径为1～20nm，相邻所述金属纳米粒子之间存在间隙。
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