[实用新型]一种宽光谱纳米阵列探测器有效
申请号: | 201920262643.1 | 申请日: | 2019-03-01 |
公开(公告)号: | CN209344126U | 公开(公告)日: | 2019-09-03 |
发明(设计)人: | 况亚伟;刘玉申;倪志春;魏青竹;杨希峰;王书昶;马玉龙;冯金福 | 申请(专利权)人: | 常熟理工学院;苏州腾晖光伏技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48;B82Y15/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 张俊范 |
地址: | 215500 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种宽光谱纳米阵列探测器,包括氧化硅衬底,氧化硅衬底的表面设置ZnO纳米柱周期阵列结构,ZnO纳米柱周期阵列结构表面设置钙钛矿纳米柱周期阵列结构,ZnO纳米柱和钙钛矿纳米柱上下对齐构成轴向异质结柱体,氧化硅衬底的表面及轴向异质结柱体的表面设置透明导电薄膜,位于ZnO纳米柱周期阵列结构两侧的透明导电薄膜的表面设置金属栅线电极作为导电电极供外电路驱动。本实用新型利用钙钛矿及纳米柱的周期阵列拓展ZnO的光谱响应范围,在不损失ZnO紫外光谱响应的基础上产生较高的可见光谱的响应。 | ||
搜索关键词: | 纳米柱 周期阵列结构 表面设置 氧化硅衬 钙钛矿 透明导电薄膜 本实用新型 纳米阵列 宽光谱 异质结 探测器 轴向 柱体 表面设置金属 导电电极 光谱响应 可见光谱 上下对齐 栅线电极 周期阵列 紫外光谱 外电路 响应 驱动 拓展 | ||
【主权项】:
1.一种宽光谱纳米阵列探测器,其特征在于,包括氧化硅衬底,所述氧化硅衬底的表面设置ZnO纳米柱周期阵列结构,所述ZnO纳米柱周期阵列结构表面设置钙钛矿纳米柱周期阵列结构,所述ZnO纳米柱和所述钙钛矿纳米柱上下对齐构成轴向异质结柱体,所述氧化硅衬底的表面及所述轴向异质结柱体的表面设置透明导电薄膜,位于所述ZnO纳米柱周期阵列结构两侧的所述透明导电薄膜的表面设置金属栅线电极作为导电电极供外电路驱动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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