[实用新型]用于半导体薄膜真空气相沉积生产的分段破空装置有效
| 申请号： | 201920270969.9 | 申请日： | 2019-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN209759577U | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 彭寿;夏申江;傅干华;殷新建 | 申请（专利权）人： | 中国建材国际工程集团有限公司;成都中建材光电材料有限公司;中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/56 | 分类号： | C23C14/56;C23C14/06 |
| 代理公司： | 31219 上海光华专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 沈金美 |
| 地址： | 200063 上海市普*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种用于半导体薄膜真空气相沉积生产的分段破空装置，分段破空装置包括沿基板移动方向先后设置的薄膜沉积区、缓冲过渡区、以及慢冷区，薄膜沉积区、缓冲过渡区、以及慢冷区都为真空腔室，慢冷区内的真空度比薄膜沉积区内的真空度低10倍以上，缓冲过渡区内设置有用于移送基板的传送机构。本申请中，通过额外设置的缓冲过渡区将薄膜沉积区和慢冷区分隔开，实现了慢冷区内的真空度比薄膜沉积区内的真空度低10倍以上；因此，从薄膜沉积区中移出的、沉积有半导体薄膜的基板在慢冷区内慢冷时，基板上沉积的半导体薄膜不再发生气化或升华，保证产品质量，同时还能避免材料浪费、以及污染慢冷区和慢冷区内的各机构。 | ||
| 搜索关键词： | 慢冷 薄膜沉积 缓冲 半导体薄膜 过渡区 基板 破空 沉积 分段 真空气相沉积 本实用新型 传送机构 基板移动 真空腔室 分隔 气化 移出 升华 申请 污染 保证 生产 | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体薄膜真空气相沉积生产的分段破空装置，其特征在于：包括沿基板(9)移动方向先后设置的薄膜沉积区(3)、缓冲过渡区(4)、以及慢冷区(5)，所述薄膜沉积区(3)、缓冲过渡区(4)、以及慢冷区(5)都为真空腔室，所述慢冷区(5)内的真空度比薄膜沉积区(3)内的真空度低10倍以上，所述缓冲过渡区(4)内设置有用于移送基板(9)的传送机构(8)。/n
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