[实用新型]一种分离栅MOSFET器件有效
| 申请号： | 201920291615.2 | 申请日： | 2019-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN209515675U | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 原小明 | 申请（专利权）人： | 南京江智科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 江苏楼沈律师事务所 32254 | 代理人： | 吕欣 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种分离栅MOSFET器件及其制造方法。本实用新型通过在第一层多晶硅中设置两个竖向的第二层多晶硅，达到了减少光刻次数，降低了工艺制造成本和复杂度，提高了耐压能力和绝缘层质量，提高了工艺可靠性和一致性，并使得本专利工艺简单,工艺窗口大，适合大规模量产制造。 | ||
| 搜索关键词： | 本实用新型 多晶硅 分离栅 绝缘层 工艺制造成本 工艺可靠性 工艺窗口 耐压能力 专利工艺 第一层 复杂度 光刻 量产 竖向 制造 | ||
【主权项】：
1.一种分离栅MOSFET器件，其特征在于：衬底上形成有外延层，外延层顶面上设置有第一沟槽，第一沟槽的底面及侧面上形成有第一氧化层，第一氧化层的表面淀积有第一层多晶硅，第一层多晶硅中设置有第二沟槽、第三沟槽，第二沟槽、第三沟槽的底面及侧面上形成有第二氧化层，第二氧化层的表面淀积有第二层多晶硅，在位于衬底顶部第一沟槽的两侧从上往下依次设置有N+，P‑Body。
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