[实用新型]一种LPCVD反应室的工艺气体注入系统有效
申请号: | 201920327581.8 | 申请日: | 2019-03-14 |
公开(公告)号: | CN209816274U | 公开(公告)日: | 2019-12-20 |
发明(设计)人: | 王锦;李明 | 申请(专利权)人: | 湖南红太阳光电科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 43008 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) | 代理人: | 周长清;戴玲 |
地址: | 410205 湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种LPCVD反应室的工艺气体注入系统,包括分别与反应室连通的第一进气管路和第二进气管路,所述第一进气管路设有第一常闭气动阀,所述第二进气管路设有常闭气动阀和第二常开气动阀,所述常闭气动阀位于第二常开气动阀的上游,所述第一常闭气动阀与第二常开气动阀互锁。本实用新型在通入反应室的反应气体进气管道上常开气动阀,将其与氧气进气管路上的常闭气动阀进行互锁保护,当进行氧化硅工艺时,氧气进入反应室,易燃易爆的反应气体(如硅烷和易燃的磷烷)无法进入反应室;而当进行氮化硅、多晶硅工艺时,反应气体(如硅烷和磷烷)进入反应室,而助燃剂氧气无法进入反应室,避免了燃爆现象的出现。 | ||
搜索关键词: | 反应室 常闭气动阀 常开气动阀 进气管路 本实用新型 反应气体 硅烷 互锁 磷烷 氧气 反应气体进气管 多晶硅工艺 氧化硅工艺 氧气进气管 工艺气体 易燃易爆 注入系统 氮化硅 助燃剂 燃爆 连通 上游 | ||
【主权项】:
1.一种LPCVD反应室的工艺气体注入系统,其特征在于:包括分别与反应室(1)连通的第一进气管路(2)和第二进气管路(3),所述第一进气管路(2)设有第一常闭气动阀(21),所述第二进气管路(3)设有常闭气动阀和第二常开气动阀(31),所述常闭气动阀(4)位于第二常开气动阀(31)的上游,所述第一常闭气动阀(21)与第二常开气动阀(31)互锁。/n
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的