[实用新型]一种全桥LLC变换器有效

专利信息
申请号: 201920328041.1 申请日: 2019-03-15
公开(公告)号: CN209659161U 公开(公告)日: 2019-11-19
发明(设计)人: 范玲莉 申请(专利权)人: 乐金电子研发中心(上海)有限公司
主分类号: H02M3/335 分类号: H02M3/335;H02M1/12;H01F27/28
代理公司: 11127 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 乔媛;王天尧<国际申请>=<国际公布>=
地址: 201206 上海市*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型提供了一种全桥LLC变换器,涉及共模噪声抑制技术领域。所述全桥LLC变换器包括第一MOSFET开关、第二MOSFET开关、第三MOSFET开关、第四MOSFET开关、第一寄生电容、第二寄生电容、第一谐振电容、第二谐振电容、第一谐振电感、第二谐振电感、变压器、电源、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第一电容、第二电容、第三寄生电容以及第四寄生电容。本实用新型通过将谐振电感与谐振电容分成两个相等的谐振电感和电容,对称放置于变压器的两端,保持总的谐振电感和电容的值不变,因此在相同的开关频率和负载下LLC变换器软开关状态不受影响,并进行了变压器的绕组匹配,有效抑制了共模噪声。
搜索关键词: 谐振电感 二极管 寄生电容 电容 谐振电容 变压器 本实用新型 全桥 共模噪声抑制 软开关状态 对称放置 共模噪声 开关频率 有效抑制 相等 匹配 电源
【主权项】:
1.一种全桥LLC变换器,其特征在于,包括第一MOSFET开关、第二MOSFET开关、第三MOSFET开关、第四MOSFET开关、第一寄生电容、第二寄生电容、第一谐振电容、第二谐振电容、第一谐振电感、第二谐振电感、变压器、电源、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第一电容、第二电容、第三寄生电容、第四寄生电容;/n其中,所述第一MOSFET开关的源极与所述第三MOSFET开关的漏极相连接;/n所述第二MOSFET开关的源极与所述第四MOSFET开关的漏极相连接;/n所述第一MOSFET开关的漏极与所述第二MOSFET开关的漏极相连接;/n所述第三MOSFET开关的源极与所述第四MOSFET开关的源极相连接;/n所述第三MOSFET开关的漏极与地之间存在第一寄生电容;/n所述第四MOSFET开关的漏极与地之间存在第二寄生电容;/n所述第二MOSFET开关的源极与第一谐振电容相连接;/n所述第一谐振电容与第一谐振电感相连接;/n所述第四MOSFET开关的漏极与第二谐振电容相连接;/n所述第二谐振电容与第二谐振电感相连接;/n所述第一谐振电感、第二谐振电感与所述变压器相连接;/n所述第一谐振电容、第一谐振电感与所述第二谐振电容、第二谐振电感对称设置于所述变压器的两端;/n所述电源的正极与第一二极管的阴极、第三二极管的阴极以及第一电容相连接;/n所述电源的负极与第二二极管的阳极、第四二极管的阳极以及第二电容相连接;/n所述第一二极管的阳极与所述第二二极管的阴极相连接;/n所述第三二极管的阳极与所述第四二极管的阴极相连接;/n所述第一二极管的阳极与地之间存在第三寄生电容;/n所述第四二极管的阴极与地之间存在第四寄生电容。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于乐金电子研发中心(上海)有限公司,未经乐金电子研发中心(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201920328041.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code