[实用新型]一种沉积多晶AlN的常关型HEMT器件有效
| 申请号： | 201920379975.8 | 申请日： | 2019-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN209766426U | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 李国强;陈丁波;刘智崑;万利军 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 44102 广州粤高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 何淑珍;江裕强 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种沉积多晶AlN的常关型HEMT器件，所述HEMT功率器件主体采用外延硅衬底上的AlGaN/GaN异质结外延结构，包括由外延缓冲层，GaN沟道层，Al | ||
| 搜索关键词： | 势垒层 栅电极 电极 漏电极 源电极 功率器件 外延硅 衬底 多晶 氮化镓基器件 本实用新型 外延缓冲层 异质结外延 高可靠性 区域形成 重要意义 沉积 制作 生长 应用 | ||
【主权项】：
1.一种沉积多晶AlN的常关型HEMT器件，其特征在于，所述HEMT器件的主体采用外延硅衬底上的AlGaN/GaN异质结外延结构，所述AlGaN/GaN异质结外延结构包括由AlN和C掺杂高阻GaN层组成的外延缓冲层，非人为掺杂的GaN沟道层，Al
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