[实用新型]一种半导体结构有效
| 申请号： | 201920393374.2 | 申请日： | 2019-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN209675292U | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 程凯 | 申请（专利权）人： | 苏州晶湛半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 11505 北京布瑞知识产权代理有限公司 | 代理人： | 孟潭<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体结构，解决了现有半导体结构的制造工艺复杂以及稳定性和可靠性差的问题。该半导体结构，包括：衬底，在衬底上制备的依次叠加的沟道层、势垒层及刻蚀停止层；以及所述刻蚀停止层上方制备的p型半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体结构 刻蚀停止层 衬底 制备 本实用新型 依次叠加 制造工艺 沟道层 势垒层 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：/n衬底；/n沟道层，位于所述衬底上；/n势垒层，位于所述沟道层上；/n刻蚀停止层，位于所述势垒层上；以及/np型半导体层，位于所述刻蚀停止层的栅极区域上。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州晶湛半导体有限公司，未经苏州晶湛半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201920393374.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：利用对称性双向划片的单台面高压可控硅芯片
- 下一篇：一种增强型器件
- 同类专利
- 专利分类
