[实用新型]一种三电平T字型拓扑结构以及单相逆变器和三相逆变器有效
| 申请号： | 201920412445.9 | 申请日： | 2019-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN209709969U | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 周祖平;郑艳文;魏民;高飞 | 申请（专利权）人： | 沈阳远大电力电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H02M7/537 | 分类号： | H02M7/537 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王宝筠<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 110023 辽宁省沈*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种三电平T字型拓扑结构以及单相逆变器和三相逆变器，其拓扑结构包括：电容支路、中点连接支路、半桥支路及输出电感；通过半桥支路以及中点连接支路组成T字型的拓扑结构，并且半桥支路中的开关管均采用SiC‑MOSFET，由于SiC‑MOSFET具有较低的开关损耗和较高开关频率，使得本实用新型提供的T字型拓扑结构的电能转换效率提高，可以将相同直流电的电能，转换成更多的交流电的电能，减少了电能的浪费。 | ||
| 搜索关键词： | 拓扑结构 半桥支路 本实用新型 支路 中点连接 交流电 电能转换效率 直流电 单相逆变器 高开关频率 三相逆变器 电容支路 开关损耗 输出电感 开关管 三电平 转换 | ||
【主权项】：
1.一种三电平T字型拓扑结构，其特征在于，包括：电容支路、中点连接支路、半桥支路及输出电感；其中：/n所述半桥支路的第一端与正母线相连，所述半桥支路的第二端与负母线相连；/n所述半桥支路的第三端与所述中点连接支路的一端相连，连接点与所述输出电感的一端相连；所述输出电感的另一端作为所述三电平T字型拓扑结构的输出端；/n所述电容支路的第一电源端与所述正母线相连，第二电源端与所述负母线相连；所述电容支路的中点与所述中点连接支路的另一端相连；/n其中，所述半桥支路中的开关管均为碳化硅-金属氧化物半导体场效应晶体管SiC-MOSFET。/n
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