[实用新型]一种平板式PECVD设备反应腔室特气耦合输送装置有效
申请号: | 201920427285.5 | 申请日: | 2019-03-29 |
公开(公告)号: | CN210012899U | 公开(公告)日: | 2020-02-04 |
发明(设计)人: | 杨彬;陈特超;陈国钦;唐电;苏卫中;杨勇 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;F16J15/06 |
代理公司: | 43008 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) | 代理人: | 周长清;徐好 |
地址: | 410111 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 一种平板式PECVD设备反应腔室特气耦合输送装置,包括位于反应腔室上盖上的上送气座、位于反应腔室内的下送气座、以及位于上送气座和下送气座之间的过渡座,上送气座上设有多个上送气接头,过渡座上设有多个过渡通道,下送气座上设有多个下送气接头,各上送气接头下端与各所述过渡通道的上端一一对应布置,各下送气接头上端一一对应地伸入各所述过渡通道的下端,过渡座上端于各所述过渡通道外周分别设有第一密封圈,过渡座上端边缘设有包括所有第一密封圈在内的第二密封圈。本实用新型可将气体从固定不动的下反应腔室安全地引入到铰链式翻盖结构的活动上盖的喷气口,本实用新型具有结构简单、可靠性好、不易出现气体泄漏等优点。 | ||
搜索关键词: | 送气 过渡通道 过渡座 密封圈 上端 本实用新型 反应腔室 下端 翻盖结构 固定不动 活动上盖 气体泄漏 上端边缘 输送装置 下反应腔 耦合 反应腔 铰链式 喷气口 平板式 上盖 伸入 特气 外周 室内 引入 | ||
【主权项】:
1.一种平板式PECVD设备反应腔室特气耦合输送装置,其特征在于:包括位于反应腔室上盖上的上送气座(1)、位于反应腔室内的下送气座(2)、以及位于上送气座(1)和下送气座(2)之间的过渡座(3),所述上送气座(1)上设有多个上送气接头(11),所述过渡座(3)上设有多个过渡通道(31),所述下送气座(2)上设有多个下送气接头(21),各所述上送气接头(11)下端与各所述过渡通道(31)的上端一一对应布置,各所述下送气接头(21)上端一一对应地伸入各所述过渡通道(31)的下端,所述过渡座(3)上端于各所述过渡通道(31)外周分别设有第一密封圈(33),过渡座(3)上端边缘设有包括所有第一密封圈(33)在内的第二密封圈(32)。/n
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的