[实用新型]QFN&DFN系列产品印章比对模板套件有效
申请号: | 201920451076.4 | 申请日: | 2019-04-03 |
公开(公告)号: | CN209859934U | 公开(公告)日: | 2019-12-27 |
发明(设计)人: | 程刚;王成;臧庆;吴明虎 | 申请(专利权)人: | 长电科技(宿迁)有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/66;H01L21/67 |
代理公司: | 11429 北京中济纬天专利代理有限公司 | 代理人: | 赵海波 |
地址: | 223800 江苏省宿迁*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及一种QFN&DFN系列产品印章比对模板套件,它包括金属模板框架(1),所述金属模板框架(1)中间区域镂空,镂空区域附上一块透光的有机玻璃(3),所述有机玻璃(3)表面制作网格(4),所述网格(4)的大小与与产品塑封后的尺寸相等,所述网格(4)上侧和右侧的金属模板框架(1)上分别设置有横坐标(5)和纵坐标(6)。本实用新型一种QFN&DFN系列产品印章比对模板套件,它弥补了现有人工数异常印章位置信息的缺陷,可以达到精确定位异常印章的坐标、减少操作员自检时间和降低定位异常印章的出错率的目的。 | ||
搜索关键词: | 金属模板 有机玻璃 网格 本实用新型 印章比对 套件 印章 印章位置 中间区域 镂空区域 镂空 出错率 透光 塑封 自检 相等 制作 | ||
【主权项】:
1.一种QFN&DFN系列产品印章比对模板套件,其特征在于:它包括金属模板框架(1),所述金属模板框架(1)中间区域镂空,镂空区域附上一块透光的有机玻璃(3),所述有机玻璃(3)表面制作网格(4),所述网格(4)的大小与产品塑封后的尺寸相等,所述网格(4)上侧和右侧的金属模板框架(1)上分别设置有横坐标(5)和纵坐标(6)。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长电科技(宿迁)有限公司,未经长电科技(宿迁)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201920451076.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种晶圆转换器的定位装置
- 下一篇:融入针板结构的高精度载板装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造