[实用新型]一种发光二极管有效
| 申请号： | 201920460615.0 | 申请日： | 2019-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN209487532U | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 韩权威;孙旭;戴志祥;汪学鹏;李烨;范慧丽;张家豪 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种发光二极管,至少包括从下至上依次层叠的衬底、N型半导体层、发光层、P型半导体层，以及与N型半导体层电性连接的N电极、与P型半导体层电性连接的P电极，所述P电极包括位于P型半导体层表面的P焊盘和P扩展条，其特征在于：所述N电极包括位于N型半导体层侧面的N焊盘以及位于N型半导体层表面并环绕所述发光层和P型半导体层的N扩展条，所述P扩展条末端与N扩展条距离相同。本实用新型可以提高电流扩展均匀性，从而提高亮度，增强可靠性；同时芯粒尺寸可进一步缩小。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 电性连接 发光层 焊盘 本实用新型 电流扩展 依次层叠 均匀性 衬底 芯粒 环绕 侧面 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管,至少包括从下至上依次层叠的衬底、N型半导体层、发光层、P型半导体层，以及与N型半导体层电性连接的N电极、与P型半导体层电性连接的P电极，所述P电极包括位于P型半导体层表面的P焊盘和P扩展条，其特征在于：所述N电极包括位于N型半导体层侧面的N焊盘以及位于N型半导体层表面并环绕所述发光层和P型半导体层的N扩展条，所述P扩展条末端与N扩展条距离相同。
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