[实用新型]一种穿通型中低压平面TVS芯片

摘要

本实用新型公开一种穿通型中低压平面TVS芯片，包括设置在P‑型硅片正反两面的N+扩散区和P+扩散区，P‑型硅片、N+扩散区和P+扩散区周围环绕设置N‑穿通隔离区，N‑穿通隔离区内侧和P+扩散区交接处设置二氧化硅钝化层，P+扩散区外表面设置阳极电极，N+扩散区表面设置阴极电极。制备方法，1）氧化；2）光刻穿通环；3）磷穿通扩散；4）正面刻窗口；5）硼扩散；6）去除背面氧化层；7）磷扩散；8）光刻引线；9）表面金属化；10）正面光刻反刻；11）真空合金；芯片测试；砂轮划片分离；芯片整理。利用耐压较高的穿通环保护内部耐压较低的PN结，防止焊锡膏溢至侧壁导致芯片短路、提高封装良率。

主权项

1.一种穿通型中低压平面TVS芯片，其特征在于：包括设置在P‑型硅片（1）正反两面的N+扩散区（3）和P+扩散区（4），所述P‑型硅片（1）、N+扩散区（3）和P+扩散区（4）周围环绕设置N‑穿通隔离区（2），所述N‑穿通隔离区（2）内侧和P+扩散区（4）交接处设置二氧化硅钝化层（5），所述P+扩散区（4）外表面设置阳极电极（6），所述N+扩散区（3）表面设置阴极电极（7）。