[实用新型]半导体处理腔室多阶段混合设备有效
| 申请号： | 201920469830.7 | 申请日： | 2019-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN210129482U | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | M·T·萨米尔;D·杨 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01J37/30 | 分类号： | H01J37/30;H01J37/305;H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 汪骏飞;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了半导体处理腔室多阶段混合设备。示例性的半导体处理系统可以包括处理腔室，并且可以包括与所述处理腔室耦接的远程等离子体单元。示例性系统还可以包括耦接在所述远程等离子体单元和所述处理腔室之间的混合歧管。所述混合歧管可以由第一端部和与所述第一端部相对的第二端部表征，并且可以在所述第二端部处与所述处理腔室耦接。所述混合歧管可以限定穿过所述混合歧管的中央通道，并且可以沿着所述混合歧管的外部限定端口。所述端口可以与限定在所述混合歧管的所述第一端部内的第一沟槽流体耦接。所述第一沟槽可以由在第一内侧壁处的内半径和外半径表征，并且所述第一沟槽可以提供通过所述第一内侧壁到所述中央通道的流体通路。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 处理 腔室多 阶段 混合 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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