[实用新型]一种CTM存储器有效

专利信息
申请号: 201920491559.7 申请日: 2019-04-12
公开(公告)号: CN210866243U 公开(公告)日: 2020-06-26
发明(设计)人: 方欲晓;赵春;赵策洲;杨莉 申请(专利权)人: 西交利物浦大学
主分类号: H01L51/05 分类号: H01L51/05;H01L51/10;H01L51/30;H01L51/40
代理公司: 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人: 范晴
地址: 215000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型属于电子器件技术领域,公开了氧化锆和硅酸锆纳米颗粒的有机无机混合CTM存储器及其制备方法,CTM存储器包括由下至上层叠设置的下电极,基底,存储层和上电极层;所述存储层为含有氧化锆和硅酸锆纳米颗粒的有机无机材料混合层。本实用新型采用溶液法制备存储层,实现低成本CTM的制备,设备和原料投资较少,可实现大规模工业应用。此外,本实用新型采用的制备方法制备出的存储层同时具有隧穿层,存储层和阻挡层的作用,降低了工艺难度,减少了复杂工艺导致的器件性能的退化。
搜索关键词: 一种 ctm 存储器
【主权项】:
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