[实用新型]一种微波射频等离子体化学气相沉积装置有效
| 申请号： | 201920493795.2 | 申请日： | 2019-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN209836302U | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 刘胜;汤朝晖;李俊 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | C23C16/517 | 分类号： | C23C16/517;C23C16/27;C23C16/40;C23C16/24;C30B25/00;C30B28/14;C30B29/04 |
| 代理公司： | 42222 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 石超群 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及微波等离子体气相沉积技术领域，具体涉及一种微波射频等离子体化学气相沉积装置，包括腔体，所述腔体从上至下依次设置有：电离部，包括电离腔和从上到下依次设置于电离腔顶部的点火装置、进气口和压缩形波导管；气相沉积部，包括气相沉积腔和绕设于气相沉积腔外壁的射频线圈；取放样部，包括取放样腔，所述取放样腔设置有取放样窗口；基台，升降设置于所述腔体内。本实用新型的装置通过设置压缩形波导管配合射频点火装置使反应气体产生电感耦合等离子体效应形成等离体子火炬，并且利用射频线圈来提高等离子体火炬的温度，极大的降低了化学气相沉积生长金刚石过程中的能量消耗，极大的提升了金刚石的生长速率。 | ||
| 搜索关键词： | 放样 本实用新型 气相沉积腔 金刚石 点火装置 射频线圈 依次设置 波导管 电离腔 腔体 等离子体化学气相沉积装置 进气口 电感耦合等离子体 沉积技术领域 等离子体火炬 化学气相沉积 微波等离子 从上到下 从上至下 反应气体 能量消耗 气相沉积 微波射频 效应形成 压缩 电离 生长 基台 射频 外壁 升降 体内 火炬 配合 | ||
【主权项】：
1.一种微波射频等离子体化学气相沉积装置，其特征在于，包括腔体，所述腔体从上至下依次设置有相互连通的：/n电离部，包括电离腔和从上到下依次设置于电离腔顶部的点火装置、进气口和压缩形波导管，所述压缩形波导管连通有微波源；/n气相沉积部，包括气相沉积腔和绕设于气相沉积腔外壁的射频线圈，所述射频线圈的两端分别连接射频电源和所述点火装置；/n取放样部，包括取放样腔，所述取放样腔设置有取放样窗口；/n基台，升降设置于所述腔体内。/n
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
