[实用新型]互连结构有效
| 申请号： | 201920511807.X | 申请日： | 2019-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN209571414U | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 孙明亮;吴孝哲;林宗贤;吴龙江;熊建锋;吴明 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538 |
| 代理公司： | 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 | 代理人： | 杨楷;毛立群 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体器件技术领域，提供了一种半导体器件的互连机构。其中，半导体器件的互连结构包括：介质层；金属互连层，设置于介质层内，金属互连层由第一金属材料制得；种子层，设置于介质层和金属互连层之间，种子层具有第一种子层和第二种子层，第一种子层由第一金属材料制得，第二种子层由金属活性强于第一金属材料的第二金属材料制得。在本实用新型中，互连结构的种子层包括第一种子层和第二种子层，其中第二种子层的金属活性强于第一种子层的金属活性，从而在进行化学电镀时，通过牺牲第二种子层，并在第一种子层上形成钝化层保护第一种子层，缓解第一种子层被电镀液侵蚀的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 种子层 金属材料 金属互连层 互连结构 金属活性 介质层 半导体器件 本实用新型 半导体器件技术 互连机构 化学电镀 电镀液 钝化层 侵蚀 缓解 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的互连结构，其特征在于，包括：介质层；金属互连层，设置于所述介质层内，所述金属互连层由第一金属材料制得；种子层，设置于所述介质层和所述金属互连层之间，所述种子层具有第一种子层和第二种子层，所述第一种子层由所述第一金属材料制得，所述第二种子层由金属活性强于所述第一金属材料的第二金属材料制得。
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