[实用新型]一种带有过压斩波特性的可控硅芯片有效
| 申请号： | 201920529757.8 | 申请日： | 2019-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN209766425U | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 王成森 | 申请（专利权）人： | 江苏捷捷微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/10;H01L21/332 |
| 代理公司： | 32243 南京正联知识产权代理有限公司 | 代理人： | 卢海洋 |
| 地址： | 226200 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种带有过压斩波特性的可控硅芯片，芯片包含中部的N型长基区N1，P型短基区P2、P3、P4、P5、P6、P7，隔离墙P1，扩磷区域N2（或扩磷区域N2、N3、N4）等。尤其所述的：P型短基区P4与P2、P3之间由N型长基区N1隔开，P型短基区P7与P5、P6之间由N型长基区N1隔开；P型短基区P4、P7与N型长基区N1形成可控硅的斩波特性，使得可控硅既提升自身防护能力、又可以保护后端电路的器件，甚至可以取消前端的TVS保护器件，既提升了电路安全性、又简化了电路器件，且降低生产制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 可控硅 隔开 扩磷 斩波 本实用新型 电路安全性 可控硅芯片 保护器件 电路器件 防护能力 后端电路 降低生产 制造成本 隔离墙 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种带有过压斩波特性的可控硅芯片，其特征在于：包括位于芯片中间的N型长基区N1，设置在N型长基区N1下侧的P型长基区P5、P6和P型短基区P7，设置在N型长基区N1上侧的P型长基区P2、P3和P型短基区P4；短基区P4、P7分别与N型长基区N1形成TVS结构；/n所述P型长基区P2上设置有扩磷区域N2，P型长基区P3上设置有扩磷区域N3、P型长基区P5上设置有扩磷区域N4；所述扩磷区域N3上设置门极；/n所述P型长基区P2、P型短基区P4、所述扩磷区域N2及N型长基区N1上设置阴极；/n所述P型长基区P5、P6、P型短基区P7，扩磷区域N4，隔离墙P1，N型长基区N1上设置阳极。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏捷捷微电子股份有限公司，未经江苏捷捷微电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201920529757.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
