[实用新型]变频器

摘要

本实用新型涉及电力电子技术领域，具体涉及一种变频器，在变频器上电且待继电器吸合后，单片机使各相IGBT单元的IGBT下桥Q2依次导通时间t，或使各相IGBT单元的IGBT下Q2桥或IGBT上桥Q1同时导通时间t，0＜t＜10μs，各相电流传感器HL1检测各相IGBT单元的输出电流并传输给单片机，单片机判断变频器中电机是否发生接地故障，本实用新型的变频器，其电路结构简单，能高效精准的判断出电机是否发生短路故障，且不对变频器的IGBT电路造成损坏。

主权项

1.一种变频器，包括IGBT电路、充电电阻以及与充电电阻并联的继电器，IGBT电路包括U相IGBT单元、V相IGBT单元和W相IGBT单元，每相IGBT单元均包括IGBT上桥Q1和IGBT下桥Q2，U相IGBT单元、V相IGBT单元和W相IGBT单元分别与电机的U相的线圈绕组、V相的线圈绕组和W相的线圈绕组相连；其特征在于：每个所述IGBT上桥Q1的栅极G均与一个光耦PC1的输出端相连，每个IGBT下桥Q2的栅极G均与一个光耦PC2的输出端相连，光耦PC1和光耦PC2的输入端均与单片机的输出端相连，U相IGBT单元、V相IGBT单元、W相IGBT单元的IGBT上桥Q1和IGBT下桥Q2之间的节点各通过一个电流传感器HL1与电机的U相的线圈绕组、V相的线圈绕组、W相的线圈绕组相连，电流传感器HL1与单片机相连；/n所述变频器上电且待继电器吸合后：/n所述单片机依次使U相IGBT单元的IGBT上桥Q1、V相IGBT单元的IGBT上桥Q1和W相IGBT单元的IGBT上桥Q1导通时间t，0＜t＜10μs，各相的电流传感器HL1分别获取U相IGBT单元、V相IGBT单元和W相IGBT单元的输出电流，单片机并依据各相的输出电流，分别判断电机的U相的线圈绕组、V相的线圈绕组和W相的线圈绕组是否发生接地短路故障；/n或者，所述单片机同时使U相IGBT单元的IGBT上桥Q1、V相IGBT单元的IGBT上桥Q1和W相IGBT单元的IGBT上桥Q1导通时间t，0＜t＜10μs，在时间t内，各相的电流传感器HL1分别获取U相IGBT单元、V相IGBT单元和W相IGBT单元的输出电流，单片机依据各相的输出电流，判断电机是否发生接地短路故障；/n或者，所述单片机同时使U相IGBT单元的IGBT下桥Q2、V相IGBT单元的IGBT下桥Q2和W相IGBT单元的IGBT下桥Q2导通时间t，0＜t＜10μs，在时间t内，各相的电流传感器HL1分别获取U相IGBT单元、V相IGBT单元和W相IGBT单元的输出电流，单片机依据各相的输出电流，判断电机是否发生接地短路故障。/n