[实用新型]一种输入信号保持电路有效

专利信息
申请号: 201920539515.7 申请日: 2019-04-19
公开(公告)号: CN209627344U 公开(公告)日: 2019-11-12
发明(设计)人: 龚李缘;陈念总 申请(专利权)人: 骆驼集团武汉光谷研发中心有限公司
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687
代理公司: 武汉经世知识产权代理事务所(普通合伙) 42254 代理人: 彭成
地址: 430000 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 实用新型涉及信号控制领域,特涉及一种输入信号保持电路。本实用新型利用第六电阻和第三电阻的分压以及齐纳二极管的钳位作用来获取控制信号,而非直接由MCU控制信号直接控制,同时电路利用了输入控制信号来控制分压电路P沟道MOSFET管的导通,确保控制输入信号的自维持,实现微控制器掉电时驱动电路的输入信号保持不变。
搜索关键词: 信号保持电路 本实用新型 电阻 控制输入信号 输入控制信号 齐纳二极管 分压电路 控制信号 钳位作用 驱动电路 微控制器 信号保持 信号控制 导通 掉电 分压 电路
【主权项】:
1.一种输入信号保持电路,包括N沟道MOSFET管、P沟道MOSFET管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、齐纳二极管、第一光耦、第二光耦,第一光耦、第二光耦的控制端分别与控制信号2和控制信号1连接,其特征在于:第二光耦的发射极接地,第一光耦的发射极、驱动电路输入、第七电阻的一端与第二光耦的集电极连接,齐纳二极管的阴极与第二光耦的集电极连接,齐纳二极管的阳极与第二光耦的发射极连接,第三电阻与齐纳二极管并联,第七电阻的另一端与N沟道MOSFET管的栅极连接,N沟道MOSFET管的源极接地,N沟道MOSFET管的漏极串联第一电阻、第二电阻与电源连接,第五电阻的一端与第一电阻、第二电阻的连接点连接,第五电阻的另一端与P沟道MOSFET管的栅极连接,P沟道MOSFET管的漏极经过第六电阻后与齐纳二极管的阴极连接,P沟道MOSFET管的源极与电源连接,第四电阻两端分别与电源和第一光耦的集电极连接。
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