[实用新型]半导体器件、金属氧化物半导体场效应管和整流器器件有效
| 申请号： | 201920544521.1 | 申请日： | 2019-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN209766430U | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 邓盛凌;迪安·E·普罗布斯特;Z·豪森 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/868;H01L21/336;H01L21/329;H01L27/06;H01L21/82 |
| 代理公司： | 11270 北京派特恩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐川;姚开丽 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体器件、金属氧化物半导体场效应管和整流器器件。所述半导体器件可包括第一导电类型的半导体区域以及第二导电类型的阱区域。所述阱区域可被设置在所述半导体区域中。所述阱区域和所述半导体区域之间的界面可在所述半导体区域的上表面之下的深度处限定二极管结。所述半导体器件可还包括设置在所述半导体区域中的至少一个电介质区域。所述至少一个电介质区域的电介质区域可具有上表面，所述上表面在所述半导体区域中的高于所述二极管结的深度的深度处设置在所述阱区域中；和下表面，所述下表面在所述半导体区域中的与所述二极管结的深度相同的深度处或低于所述二极管结的深度的深度处设置在所述半导体区域中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体区域 二极管结 阱区域 半导体器件 电介质区域 上表面 下表面 金属氧化物半导体场效应管 第一导电类型 本实用新型 整流器器件 导电类型 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：/n第一导电类型的半导体区域；/n第二导电类型的阱区域，所述阱区域设置在所述半导体区域中，所述阱区域和所述半导体区域之间的界面在所述半导体区域的上表面之下的深度处限定二极管结；以及/n至少一个电介质区域，所述至少一个电介质区域设置在所述半导体区域中，所述至少一个电介质区域中的电介质区域具有：/n上表面，所述上表面在所述半导体区域中的高于所述二极管结的深度的深度处设置在所述阱区域中；和/n下表面，所述下表面在所述半导体区域中的与所述二极管结的深度相同的深度处或低于所述二极管结的深度的深度处设置在所述半导体区域中。/n
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