[实用新型]一种新型的高压MOS管有效

专利信息
申请号: 201920583652.0 申请日: 2019-04-25
公开(公告)号: CN209947841U 公开(公告)日: 2020-01-14
发明(设计)人: 原小明;胡敬全;谷万忠 申请(专利权)人: 南京江智科技有限公司
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L23/057;H01L23/367
代理公司: 32344 苏州拓云知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人: 潘好帅
地址: 210000 江苏省南京市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种新型的高压MOS管,包括源极、栅极、漏极、基底、下包胶、上包胶和外延层,所述外延层设置在基底上方,外延层顶部中部设置有第二阱区,第二阱区左右两侧分别设置有第一阱区和第三阱区,所述源极底部与第一阱区连接,漏极底部与第三阱区连接,所述第二阱区顶部设置有第二绝缘氧化层,且栅极底部与第二绝缘氧化层连接,所述外延层顶部左右两侧均设置有第一绝缘氧化层,所述下包胶设置在基底下方,上包胶设置在栅极上方,本实用新型的有益效果是:第二阱区作用于增加第一阱区与第三阱区之间的电阻,从而增加击穿电压;外延层与基底之间设置有散热层,能够在电压到达击穿电压时对基底进行保护,增加基底的使用寿命。
搜索关键词: 阱区 外延层 基底 包胶 绝缘氧化层 本实用新型 击穿电压 左右两侧 漏极 源极 高压MOS管 顶部设置 使用寿命 散热层 电阻
【主权项】:
1.一种新型的高压MOS管,包括源极(1)、栅极(2)、漏极(3)、基底(12)、下包胶(13)、上包胶(15)和外延层(18),其特征在于,所述外延层(18)设置在基底(12)上方,外延层(18)顶部中部设置有第二阱区(5),第二阱区(5)左右两侧分别设置有第一阱区(4)和第三阱区(6),所述源极(1)底部与第一阱区(4)连接,漏极(3)底部与第三阱区(6)连接,所述第二阱区(5)顶部设置有第二绝缘氧化层(8),且栅极(2)底部与第二绝缘氧化层(8)连接,所述外延层(18)顶部左右两侧均设置有第一绝缘氧化层(7),所述下包胶(13)设置在基底(12)下方,上包胶(15)设置在栅极(2)上方,上包胶(15)的侧壁与下包胶(13)的侧壁固定连接,所述上包胶(15)内设置有接地片(17),接地片(17)底部与栅极(2)连接,源极(1)、栅极(2)和漏极(3)后端均设置有引脚(9)。/n
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