[实用新型]一种基于MDM结构的超材料宽阻带滤波器及其电路系统有效
| 申请号： | 201920585071.0 | 申请日： | 2019-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN209607893U | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 王鑫;王俊林 | 申请（专利权）人： | 内蒙古大学 |
| 主分类号： | H01P1/208 | 分类号： | H01P1/208 |
| 代理公司： | 合肥市泽信专利代理事务所(普通合伙) 34144 | 代理人： | 方荣肖 |
| 地址： | 010021 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于MDM结构的超材料宽阻带滤波器及其电路系统，该滤波器包括中间介质层以及分别固定在中间介质层相对两侧的两个金属谐振层。每个金属谐振层包括呈阵列排布的多个谐振结构，每个谐振结构包括相对设置的两个“[”形谐振环；两个谐振环围成一个呈正方形区域，且端部相靠近。其中一个金属谐振层的所有谐振结构分别与另一个金属谐振层的所有谐振结构相对应，且相对应的两个谐振结构位于中间介质层同一厚度方向上。谐振环为由铜制成的谐振环，中间介质层为由柔性聚二甲基硅氧烷材料制成的介质层。本实用新型具有较宽的阻带和良好频率选择特性，克服了现有滤波器的操作频段窄而限制其实际应用的障碍，实现宽阻带的滤波器结构。 | ||
| 搜索关键词： | 谐振结构 中间介质层 金属谐振 谐振环 宽阻带滤波器 本实用新型 电路系统 超材料 阻带 聚二甲基硅氧烷材料 滤波器 频率选择特性 滤波器结构 现有滤波器 正方形区域 操作频段 相对两侧 相对设置 阵列排布 介质层 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于MDM结构的超材料宽阻带滤波器，其包括：中间介质层(2)；以及分别固定在中间介质层(2)相对两侧的两个金属谐振层(1)；其特征在于，每个金属谐振层(1)包括呈阵列排布的多个谐振结构(3)；每个谐振结构(3)包括相对设置的两个“[”形谐振环(4)；两个谐振环(4)围成一个呈正方形区域，且端部相靠近；其中一个金属谐振层(1)的所有谐振结构(3)分别与另一个金属谐振层(1)的所有谐振结构(3)相对应，且相对应的两个谐振结构(3)位于中间介质层(2)同一厚度方向上；谐振环(4)为由铜制成的谐振环，中间介质层(2)为由柔性聚二甲基硅氧烷材料制成的介质层。
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