[实用新型]一种用于SiC晶体生长的装炉定位工具有效

专利信息
申请号: 201920585233.0 申请日: 2019-04-26
公开(公告)号: CN210945854U 公开(公告)日: 2020-07-07
发明(设计)人: 董永洋;杨昆;张福生;路亚娟;刘新辉;牛晓龙 申请(专利权)人: 河北同光晶体有限公司
主分类号: C30B23/00 分类号: C30B23/00;C30B29/36
代理公司: 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 代理人: 戴凤仪
地址: 071000 *** 国省代码: 河北;13
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开一种用于SiC晶体生长的装炉定位工具,包括定位环外圈,所述定位环外圈上固定有若干个定位机构,所述定位机构包括石墨螺杆、固定套筒、伸缩件和定位环内圈,所述定位环外圈上开设有若干个通孔,所述固定套筒安装在定位环外圈外表面上,所述石墨螺杆通过定位环外圈的通孔旋接在所述固定套筒上,所述定位环内圈与所述定位环外圈通过伸缩件固定连接,所述石墨螺杆包括端部和螺杆部,所述端部与螺杆部固定连接,所述螺杆部的表面上固定有刻度尺;本实用新型的装炉定位工具在SiC单晶装炉过程中保证了坩埚和中频感应线圈同心,使生长的SiC单晶界面良好,边缘薄厚均匀。
搜索关键词: 一种 用于 sic 晶体生长 定位 工具
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河北同光晶体有限公司,未经河北同光晶体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201920585233.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top