[实用新型]刻蚀机台有效
| 申请号： | 201920599799.9 | 申请日： | 2019-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN209766374U | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 张大龙;栾剑峰;刘家桦;叶日铨 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 31295 上海思捷知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种刻蚀机台，包括：腔室、第一气体传送装置及第二气体传送装置，所述第一气体传送装置包括：第一气体管路及第一喷头；所述第二气体传送装置包括：第二气体管路及多个第二喷头，所述第二气体管路包括：第一分支管路及第二分支管路，其中，所述第二分支管路环绕所述腔室内侧壁设置，各所述第二喷头安装在所述第二分支管路上。通过所述第一喷头以及所述第二喷头能够同时向腔室内喷射反应气体，使反应气体喷向腔室内的晶圆边缘区域与中心区域的流量趋于一致，从而提高晶圆边缘区域的刻蚀速率，有效地改善晶圆刻蚀的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 喷头 气体传送装置 分支管路 气体管路 晶圆边缘区域 刻蚀 喷射反应气体 室内 本实用新型 腔室内侧壁 反应气体 刻蚀机台 喷头安装 中心区域 分支管 均匀性 有效地 晶圆 腔室 环绕 | ||
【主权项】：
1.一种刻蚀机台，其特征在于，包括：腔室、第一气体传送装置及第二气体传送装置；/n所述第一气体传送装置包括：第一气体管路及第一喷头，所述第一气体管路与所述第一喷头相连，所述第一喷头设于所述腔室内；/n所述第二气体传送装置包括：第二气体管路及多个第二喷头，所述第二气体管路包括：第一分支管路及第二分支管路，所述第一分支管路与所述第二分支管路相连通，所述第二分支管路环绕所述腔室内侧壁设置，各所述第二喷头均设置于所述第二分支管路上。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
