[实用新型]可集成式硅振荡器结构有效

专利信息
申请号: 201920601608.8 申请日: 2019-04-29
公开(公告)号: CN211089591U 公开(公告)日: 2020-07-24
发明(设计)人: 黄向向;杨敏;道格拉斯·雷·斯巴克斯;关健 申请(专利权)人: 罕王微电子(辽宁)有限公司
主分类号: H03B5/04 分类号: H03B5/04;H03B5/06
代理公司: 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 21001 代理人: 张晨
地址: 113000 辽宁省抚顺*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 可集成式硅振荡器结构,有三种谐振器的结构,MEMS芯片与CMOS集成电路通过键合工艺集成在一起,在CMOS集成电路上直接制备硅谐振器,单独的MEMS硅谐振器,集成电路芯片也是单独的;MEMS谐振器通过键合工艺与CMOS集成电路集成在一起;与CMOS电路键合集成硅振荡器结构,分为三种结构;包括带有引线键合盘的可与CMOS集成电路键合的硅谐振器,带有硅通孔金属连接的可与CMOS集成电路键合的硅谐振器,带有热控制的可与CMOS集成电路键合的硅谐振器。本实用新型的优点:防震效果是传统石英晶振产品的25倍,具有不受振动影响、不易碎的特点。还具有可集成度高、可编程、尺寸小、功耗小等优点。
搜索关键词: 集成 振荡器 结构
【主权项】:
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