[实用新型]一种用于晶硅电池背电极的网版有效

专利信息
申请号: 201920610064.1 申请日: 2019-04-29
公开(公告)号: CN210026633U 公开(公告)日: 2020-02-07
发明(设计)人: 连维飞;张树德;胡党平;魏青竹;倪志春 申请(专利权)人: 苏州腾晖光伏技术有限公司
主分类号: B41F15/36 分类号: B41F15/36;B41M1/12;B41M1/26;H01L31/0224;H01L31/18
代理公司: 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 罗满
地址: 215500 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种用于晶硅电池背电极的网版,该网版可以包括用于供在P型硅片背面印刷铝浆的网版本体;设置在网版本体上、位于预设位置处的遮挡件,其中,预设位置为与P型硅片的主栅相对应的位置;遮挡件包括镂空区域和遮挡区域,其中,遮挡区域与使银浆和P型硅片直接相接触的区域相对应。本申请公开的上述技术方案,可以通过所设置的遮挡件中的镂空区域增大铝浆与P型硅片的接触面积,相应地,则可以通过遮挡件中的遮挡区域降低银浆与P型硅片的直接接触面积,因此,则可以降低P型晶硅电池在银电极位置处所产生的性能损失,进而可以提高P型晶硅电池的性能。
搜索关键词: 遮挡件 晶硅电池 遮挡区域 网版本体 预设位置 镂空区域 铝浆 网版 银浆 本实用新型 性能损失 背电极 银电极 主栅 背面 印刷 申请
【主权项】:
1.一种用于晶硅电池背电极的网版,其特征在于,包括:/n用于供在P型硅片背面印刷铝浆的网版本体;/n设置在所述网版本体上、位于预设位置处的遮挡件,其中,所述预设位置为与所述P型硅片的主栅相对应的位置;/n所述遮挡件包括镂空区域和遮挡区域,其中,所述遮挡区域与使银浆和所述P型硅片直接相接触的区域相对应。/n
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