[实用新型]一种用于外延生长的反应装置

摘要

本实用新型涉及半导体外延生长设备领域，具体涉及一种用于外延生长的反应装置。包括石英腔、感应加热线圈、反应腔、进气装置；感应加热线圈设于石英腔的正上方与正下方；反应腔设于石英腔内，反应腔内对称设有通过两侧的支撑板相连的上半月加热座与下半月加热座；进气装置包括回填气嘴、第一导流接口与第二导流接口。本实用新型可以大大提高气相沉积后外延层的厚度均匀性。