[实用新型]纳米线栅结构和荧光各向异性增强装置有效
| 申请号： | 201920672709.4 | 申请日： | 2019-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN210072117U | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 韩春蕊;齐月静;王宇;叶剑挺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00 |
| 代理公司： | 11619 北京辰权知识产权代理有限公司 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种纳米线栅结构和荧光各向异性增强装置。该纳米线栅结构为多个条状结构线栅平行排布形成，且其结构参数为：线栅周期300‑800纳米，线栅宽度50‑400纳米。该装置利用超材料表面等离激元共振产生的超强局域场和超小模体积，增强荧光材料的自发辐射率和荧光强度，通过调节纳米线栅结构的线宽调制荧光增强程度，并通过调节纳米线栅结构的周期控制荧光场增强方向，从而解决了现有材料荧光信号弱以及现有技术难以调制荧光增强程度和光场偏振方向的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米线栅 荧光 荧光增强 调制 表面等离激元 本实用新型 结构参数 平行排布 条状结构 线栅宽度 线栅周期 荧光材料 荧光信号 增强装置 周期控制 自发辐射 场增强 超材料 局域场 共振 超强 光场 偏振 线宽 线栅 小模 | ||
【主权项】：
1.一种纳米线栅结构，其特征在于，所述纳米线栅结构为多个条状结构线栅平行排布形成，且其结构参数为：线栅周期300-800纳米，线栅宽度50-400纳米。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201920672709.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：百叶式膜
- 下一篇：一种高硬挺性的多功能复合板
