[实用新型]晶圆表面激活腔体有效
申请号: | 201920685694.5 | 申请日: | 2019-05-14 |
公开(公告)号: | CN209571383U | 公开(公告)日: | 2019-11-01 |
发明(设计)人: | 陶超 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本实用新型涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种新型的晶圆表面激活腔体的设计。一种晶圆表面激活腔体,其中,包括一腔体,所述腔体内设置有:一上电极,设置于所述腔体的上部;一下电极,与所述上电极平行设置于所述腔体的下部;一晶圆固定装置,设置于所述腔体上部,用以将一待加工晶圆固定于所述上电极的下表面,并使所述待加工晶圆的待加工面朝向所述下电极;一组进气口,设置于所述下电极周围;一第一排气口,设置于所述下电极的一侧。本实用新型通过改变进气管路和排气管路以及聚焦环和接收传送装置的位置,将晶圆传送到上电极进行表面激活,减少因晶圆表面激活产生的颗粒在键合时形成气泡,提高了晶圆产品良率,减少晶圆报废。 | ||
搜索关键词: | 电极 腔体 晶圆 晶圆表面 下电极 激活 本实用新型 进气口 半导体制造技术 接收传送装置 晶圆固定装置 第一排气口 表面激活 待加工面 进气管路 晶圆产品 排气管路 平行设置 腔体上部 聚焦环 下表面 圆表面 良率 种晶 加工 报废 体内 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆表面激活腔体,其特征在于,包括一腔体,所述腔体内设置有:一上电极,设置于所述腔体的上部;一下电极,与所述上电极平行设置于所述腔体的下部;一晶圆固定装置,设置于所述腔体上部,用以将一待加工晶圆固定于所述上电极的下表面,并使所述待加工晶圆的待加工面朝向所述下电极;一组进气口,设置于所述下电极周围;一第一排气口,设置于所述下电极的一侧。
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