[实用新型]一种分析ppb量级氙同位素丰度比的四极质谱测量装置有效

专利信息
申请号: 201920694033.9 申请日: 2019-05-16
公开(公告)号: CN209911287U 公开(公告)日: 2020-01-07
发明(设计)人: 杨天丽;刘雪梅;龙开明;罗立力;王海龙;孙明良;杨凤杰;欧阳群益 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
主分类号: G01N27/62 分类号: G01N27/62
代理公司: 51210 中国工程物理研究院专利中心 代理人: 翟长明;韩志英
地址: 621999 四*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开了一种分析ppb量级氙同位素丰度比的四极质谱测量装置。该装置包括进样单元、一级纯化单元、二级纯化单元、低温提取单元和四极测量单元。该装置在四极质量分析器的前端增加了简单纯化单元,利用多离子探测模式,形成一个能够实现同位素丰度比测量功能的静态四极质谱仪。针对大气样品,该装置仅需要不超过1mL标准体积的气体,采用一定的处理技术,对氙同位素丰度比在10
搜索关键词: 氙同位素 丰度 本实用新型 测量装置 大气样品 四极质谱 四极 测量 四极质谱仪 同位素丰度 质量分析器 测量单元 低温提取 进样单元 可拆卸的 离子探测 分析 重量轻 标称
【主权项】:
1.一种分析ppb量级氙同位素丰度比的四极质谱测量装置,其特征在于,所述的四极质谱测量装置包括进样单元、一级纯化单元、二级纯化单元、低温提取单元和四极测量单元;/n进样单元包括通道(1)、全金属微漏阀(2)、样品室(3)、薄膜压力计(4)、隔离阀Ⅰ(5)、隔离阀Ⅱ(7)和金属三通接头(6);金属三通接头(6)的进气端通过通道(1)与样品瓶连通,金属三通接头(6)的一个出气端通过通道(1)与隔离阀Ⅰ(5)、全金属微漏阀(2)和样品室(3)顺序连通,金属三通接头(6)的另一个出气端通过通道(1)与隔离阀Ⅱ(7)和涡旋干泵(22)顺序连通;薄膜压力计(4)测量样品室(3)的压力;/n一级纯化单元包括高温去气炉(8)和全金属角阀Ⅰ(9),所述的高温去气炉(8)通过全金属角阀Ⅰ(9)与样品室(3)连通,高温去气炉(8)中装填有吸附材料Ⅰ(10);/n二级纯化单元包括样品通道(11)、去气炉(12)和真空规(14);所述的样品室(3)通过样品通道(11)与全金属隔离阀Ⅱ(13)、全金属角阀Ⅵ(26)、全金属隔离阀Ⅲ(27)、全金属角阀Ⅴ(25)、全金属角阀Ⅲ(15)和去气炉(12)顺序连通,全金属角阀Ⅵ(26)上还顺序安装有涡轮分子泵(23)和涡旋干泵(22),全金属角阀Ⅴ(25)上还安装有离子溅射泵(24),全金属角阀Ⅴ(25)、全金属角阀Ⅲ(15)之间的样品通道(11)上安装有真空规(14);去气炉(12)中装填有吸附材料Ⅱ(16);/n低温提取单元包括低温吸附柱(17),低温吸附柱(17)通过全金属角阀Ⅳ(18)与样品通道(11)连接,低温吸附柱(17)工作时放置在外置低温装置(19)的低温池内;/n四极测量单元包括四极质量分析器(20),四极质量分析器(20)通过全金属隔离阀Ⅰ(21)与样品通道(11)连接。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国工程物理研究院核物理与化学研究所,未经中国工程物理研究院核物理与化学研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201920694033.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top