[实用新型]高可靠性瞬态电压抑制器有效
| 申请号： | 201920694614.2 | 申请日： | 2019-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN209658186U | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 廖兵;沈礼福 | 申请（专利权）人： | 苏州达晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L23/49;H01L29/417 |
| 代理公司： | 32103 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 王健<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 215163 江苏省苏州市高*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种高可靠性瞬态电压抑制器，包括第一引线、第二引线和芯片，所述第一引线、第二引线各自的端部与芯片位于环氧绝缘体内，焊片嵌入引线端部的凹槽且焊片的厚度大于凹槽的深度；芯片包括硅基片，此硅基片包括垂直方向相邻的N型掺杂区、P型掺杂区，所述P型掺杂区四周具有一沟槽，N型掺杂区进一步包括垂直方向相邻的轻掺杂N型层、重掺杂N型层，所述P型掺杂区进一步包括垂直方向相邻的轻掺杂P型层、重掺杂P型层，所述轻掺杂N型层与轻掺杂P型层接触，所述重掺杂P型层、重掺杂N型层分别位于硅基片上表面和下表面。本实用新型具有更低的钳位电压，增强了器件的抗浪涌能力，正向通流能力可以更好满足保护需求。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基片 轻掺杂N型层 重掺杂N型层 本实用新型 芯片 轻掺杂 重掺杂 焊片 瞬态电压抑制器 环氧绝缘体 高可靠性 钳位电压 通流能力 引线端部 抗浪涌 上表面 下表面 正向 嵌入 | ||
【主权项】：
1.一种高可靠性瞬态电压抑制器，其特征在于：包括第一引线（13）、第二引线（14）和芯片（15），所述第一引线（13）、第二引线（14）各自的端部与芯片位于环氧绝缘体（18）内，所述第一引线（13）、第二引线（14）各自的端部具有一凹槽（16），此第一引线（13）、第二引线（14）各自端部分别与芯片（15）的第一金属层（6）、第二金属层（7）之间通过焊片（17）电连接，所述焊片（17）嵌入引线端部的凹槽（16）且焊片（17）的厚度大于凹槽（16）的深度；/n所述芯片（15）进一步包括硅基片（1），此硅基片（1）包括垂直方向相邻的N型掺杂区（2）、P型掺杂区（3），所述P型掺杂区（3）四周具有一沟槽（4），所述沟槽（4）的表面覆盖有绝缘钝化保护层（5），此绝缘钝化保护层（5）由沟槽（4）底部延伸至P型掺杂区（3）表面的边缘区域，所述P型掺杂区（3）的上表面覆盖作为电极的第一金属层（6），所述N型掺杂区（2）下表面覆盖作为另一个电极的第二金属层（7）；/n所述N型掺杂区（2）进一步包括垂直方向相邻的轻掺杂N型层（8）、重掺杂N型层（9），所述P型掺杂区（3）进一步包括垂直方向相邻的轻掺杂P型层（10）、重掺杂P型层（11），所述轻掺杂N型层（8）与轻掺杂P型层（10）接触，所述重掺杂P型层（11）、重掺杂N型层（9）分别位于硅基片（1）上表面和下表面，所述重掺杂N型层（9）中心处具有一中掺杂P型子区（12），此中掺杂P型子区（12）位于重掺杂N型层（9）内，所述中掺杂P型子区（12）和位于中掺杂P型子区（12）周边的重掺杂N型层（9）均与所述第二金属层（7）电连接。/n
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