[实用新型]一种基于硅介质结构的增强型红外薄膜探测器有效

专利信息
申请号: 201920708747.0 申请日: 2019-05-17
公开(公告)号: CN209929328U 公开(公告)日: 2020-01-10
发明(设计)人: 黄志明;胡涛;张惜月;张志博;吴敬;江林 申请(专利权)人: 中国科学院上海技术物理研究所
主分类号: H01L31/09 分类号: H01L31/09;H01L31/0216;H01L31/18;G01J5/00;G01J5/20
代理公司: 31311 上海沪慧律师事务所 代理人: 郭英
地址: 200083 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 专利公开了一种基于硅介质结构的增强型红外薄膜探测器,所述探测器由氧化铝衬底,锰钴镍氧敏感元,硅介质结构层,锗单晶半球透镜,以及器件管座组成。在传统热敏薄膜型探测器的基础上,通过在锰钴镍氧敏感元表面,引入特定图案的硅介质结构层,达到增强敏感元在红外波段的宽带吸收的目的,从而使探测器的响应率和探测率进一步提升。本专利设计的器件制备工艺简单,可实现红外波段的宽带增强探测,对于探测器的性能改善和提升具有重要意义。
搜索关键词: 探测器 硅介质 红外波段 结构层 锰钴镍 氧敏感 器件制备工艺 半球透镜 红外薄膜 宽带吸收 热敏薄膜 性能改善 重要意义 专利设计 敏感元 探测率 响应率 氧化铝 增强型 锗单晶 衬底 管座 宽带 探测 图案 引入
【主权项】:
1.一种基于硅介质结构的增强型红外薄膜探测器,包括锰钴镍氧敏感元(1),硅介质结构层(2),氧化铝衬底(3),电极(4),金线焊丝(5),导热硅脂(6),器件引脚(7),锗单晶半球透镜(8),器件管座(9),其特征在于:/n所述的探测器结构如下:氧化铝衬底(3)上方依次为锰钴镍氧敏感元(1)和硅介质结构层(2);氧化铝衬底(3)用导热硅脂(6)粘贴在器件管座(9)上;在锰钴镍氧敏感元(1)的表面,硅介质结构层(2)的两侧,是电极(4);器件引脚(7)与电极(4)用金线焊丝(5)相连;锗单晶半球透镜(8)封装在器件管座(9)上方的卡槽里。/n
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