[实用新型]一种基于硅介质结构的增强型红外薄膜探测器有效
申请号: | 201920708747.0 | 申请日: | 2019-05-17 |
公开(公告)号: | CN209929328U | 公开(公告)日: | 2020-01-10 |
发明(设计)人: | 黄志明;胡涛;张惜月;张志博;吴敬;江林 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/0216;H01L31/18;G01J5/00;G01J5/20 |
代理公司: | 31311 上海沪慧律师事务所 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 200083 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本专利公开了一种基于硅介质结构的增强型红外薄膜探测器,所述探测器由氧化铝衬底,锰钴镍氧敏感元,硅介质结构层,锗单晶半球透镜,以及器件管座组成。在传统热敏薄膜型探测器的基础上,通过在锰钴镍氧敏感元表面,引入特定图案的硅介质结构层,达到增强敏感元在红外波段的宽带吸收的目的,从而使探测器的响应率和探测率进一步提升。本专利设计的器件制备工艺简单,可实现红外波段的宽带增强探测,对于探测器的性能改善和提升具有重要意义。 | ||
搜索关键词: | 探测器 硅介质 红外波段 结构层 锰钴镍 氧敏感 器件制备工艺 半球透镜 红外薄膜 宽带吸收 热敏薄膜 性能改善 重要意义 专利设计 敏感元 探测率 响应率 氧化铝 增强型 锗单晶 衬底 管座 宽带 探测 图案 引入 | ||
【主权项】:
1.一种基于硅介质结构的增强型红外薄膜探测器,包括锰钴镍氧敏感元(1),硅介质结构层(2),氧化铝衬底(3),电极(4),金线焊丝(5),导热硅脂(6),器件引脚(7),锗单晶半球透镜(8),器件管座(9),其特征在于:/n所述的探测器结构如下:氧化铝衬底(3)上方依次为锰钴镍氧敏感元(1)和硅介质结构层(2);氧化铝衬底(3)用导热硅脂(6)粘贴在器件管座(9)上;在锰钴镍氧敏感元(1)的表面,硅介质结构层(2)的两侧,是电极(4);器件引脚(7)与电极(4)用金线焊丝(5)相连;锗单晶半球透镜(8)封装在器件管座(9)上方的卡槽里。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的