[实用新型]一种基于MOS功率管的整流桥电路有效
申请号: | 201920716503.7 | 申请日: | 2019-05-17 |
公开(公告)号: | CN209896936U | 公开(公告)日: | 2020-01-03 |
发明(设计)人: | 唐俊雄 | 申请(专利权)人: | 杭州涂鸦信息技术有限公司 |
主分类号: | H02M7/219 | 分类号: | H02M7/219 |
代理公司: | 44470 广东君龙律师事务所 | 代理人: | 丁建春 |
地址: | 310000 浙江省杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种基于MOS功率管的整流桥电路,包括第一PMOS功率管、第二PMOS功率管、第三NMOS功率管、第四NMOS功率管、第一至第四分压电路、第一至第四单向导通电路。本实用新型通过MOS构建全桥整流器,不仅能适应不同极性输入,而且由于MOS导通阻抗小,还能有效降低整流桥的功率损失,降低散热要求。 | ||
搜索关键词: | 本实用新型 单向导通电路 全桥整流器 整流桥电路 导通阻抗 分压电路 功率损失 整流桥 散热 构建 | ||
【主权项】:
1.一种基于MOS功率管的整流桥电路,其特征在于,包括:第一PMOS功率管、第二PMOS功率管、第一NMOS功率管、第二NMOS功率管、第三NMOS功率管、第四NMOS功率管、第一分压电路、第二分压电路、第三分压电路、第四分压电路、第一单向导通电路、第二单向导通电路、第三单向导通电路和第四单向导通电路;/n所述第一PMOS功率管的源极与所述第一NMOS功率管的漏极连接后作为所述整流桥电路的第一输入端,所述第二PMOS功率管的源极与所述第二NMOS功率管的漏极连接后作为所述整流桥电路的第二输入端;/n所述第一PMOS功率管的漏极与所述第二PMOS功率管的漏极连接后作为所述整流桥电路的正输出端,所述第二NMOS功率管的源极与所述第二NMOS功率管的源极连接后作为所述整流桥电流的负输出端;/n所述第一分压电路和第一单向导通电路连接在所述第一输入端和所述第二输入端之间,所述第一单向导通电路导通时,所述第一分压电路输出第一分压信号给所述第一PMOS功率管的栅极,第一PMOS功率管导通;/n所述第二分压电路和第二单向导通电路连接在所述第一输入端和所述第二输入端之间,所述第二单向导通电路导通时,所述第二分压电路输出第二分压信号给所述第二PMOS功率管的栅极,第二PMOS功率管导通;/n所述第三分压电路和第三单向导通电路连接在所述第一输入端和所述第二输入端之间,所述第三单向导通电路导通时,所述第三分压电路输出第三分压信号给所述第三NMOS功率管的栅极,第三NMOS功率管导通;/n所述第四分压电路和第四单向导通电路连接在所述第一输入端和所述第二输入端之间,所述第四单向导通电路导通时,所述第四分压电路输出第四分压信号给所述第四NMOS功率管的栅极,第四NMOS功率管导通;/n所述第一输入端获得电源正极、第二输入端获得电源负极时,所述第一单向导通电路和第四单向导通电路导通,所述第一输入端获得电源负极、第二输入端获得电源正极是,所述第二单向导通电路和第三单向导通电路导通。/n
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