[实用新型]一种SiC模块的双面冷却结构

摘要

本实用新型涉及一种SiC模块的双面冷却结构，包括DBC板组、设置于DBC板组上的功率端子O、功率端子P、功率端子N，SiC mosfet M1、SiC mosfet M2，DBC板组包括下DBC板、中DBC板和上DBC板，所述SiC mosfet M1、SiC mosfet M2分别设置于下DBC板上且与下DBC板之间设置有纳米银烧结层，SiC mosfet M1的源极S1、栅极G1向上设置，SiC mosfet M2的源极S2、栅极G2向下设置，中DBC板设置于SiC mosfet M1上方与SiC mosfet M1的源极S1、栅极G1连接，SiC mosfet M1、SiC mosfet M2分别借助金属薄片与上DBC板连接，该结构散热好、寄生电感低，体积小且可靠性高。

主权项

1.一种SiC模块的双面冷却结构，包括DBC板组、设置于DBC板组上的功率端子O、功率端子P、功率端子N，SiC mosfet M1、SiC mosfet M2，其特征在于：所述的DBC板组包括下DBC板(1)、中DBC板(2)和上DBC板(3)，所述SiC mosfet M1、SiC mosfet M2分别设置于下DBC板(1)上且与下DBC板(1)之间设置有纳米银烧结层，所述的SiC mosfet M1的源极S1、栅极G1向上设置，SiC mosfet M2的源极S2、栅极G2向下设置，中DBC板(2)设置于SiC mosfet M1上方与SiC mosfet M1的源极S1、栅极G1连接，所述的SiC mosfet M1、SiC mosfet M2分别借助金属薄片(4)与上DBC板(3)连接。